フレキシブル・エレクトロニクス向けSPICEモデリング
本ウェビナでは、まず原理を説明し、それから機械的歪みがフレキシブル・エレクトロニクスの回路設計および物理検証に与える影響を考慮するために、TFTおよびMOSFET SPICEモデルを拡張、カスタマイズする実践的テクニックについて説明します。
エントリー - Ingrid Schwarz
MIPI I3C
本ウェビナでは、MIPI Allianceの新しい規格であるI3Cについて考察します。I3Cは、従来のI2C、SPIインタフェースを統合、拡張するもので、最新のモバイル、自動車、IoTアプリケーションに対応する強力な機能が追加されています。
Process Variation, Alignment and BEOL Effects on Circuit Level Performance
As process nodes continue to shrink, the requirement for additional physics is gradually creeping into each stage of the design process. By way of illustration, TCAD simulations are becoming more atomistic in nature, SPICE models are becoming process-aware to take account of localized strain effects, and back or middle end of line (BEOL and MEOL) parasitics are moving from exclusively 2D rule based solutions to full 3D structure field solvers for numerous critical sections of the layout.
Touch Panel Capacitance Extraction in Hipex Full Chip Extraction Tool Using Stellar Field Solver
The previously standalone Stellar GUI based field solver tool for parasitic extraction is now integrated into Hipex (Silvaco’s full chip extraction tool) in Expert GUI. In Hipex, user can choose proper extraction method (including Steller solver) among different approaches. The GUI of Expert (Silvaco’s layout editor) has been extended to provide technology setup for Stellar mode of Hipex. Also, Expert provides full functional features of GDS drawing, editing and rule checking. As opposed to the Clever field solver based on adaptive meshing, Stellar can handle very large layout size with less memory and reduced runtime with acceptable accuracy (as compared to Clever). Clever, as very accurate adaptive meshing field solver, can be used as reference accuracy check when Stellar or rule based parasitic extraction method is performed in Hipex. In this article, we will review the basic interface of Hipex in Expert GUI using Stellar as a field solver to extract capacitance in touch panel example.
Dynamic Analysis of Liquid Crystal Pixels
We have demonstrated in previous articles the static electrical and optical simulation of LC cells [1][2]. The last piece of the function for a comprehensive analysis of an LC pixel is the capability of performing transient simulation. In this article, we will show the dynamic calculation of the LC director and the combination of electrical and optical simulation.
Hints, Tips and Solutions – Adding An Impurity to a Diffusion Model and Enable Diffusion of a New Impurity in a Specific Material
OBJECTIVE
Add an impurity (H) to a material (silicon) for a diffusion model (Fermi).
The description below refers to Victory Process version 7.27.X.
VarManによるメモリの統計的キャラクタライゼーション・ソリューション
VarManには、Variability eXplorer、high-sigma Yield Estimation、high-sigma Performance Limit、eXtreme Memory Analysisを含むツールのパッケージソフトが含まれます。これらのユニークなツールは、メモリのキャラクタライゼーションと品質保証に必要なシミュレーション回数を大幅に減らしながらも、高い精度を維持することで、ばらつきを加味した設計およびキャラクタライゼーションを可能にします。
FPD設計者が生産性を高める方法
本ウェビナーでは、FPDレイアウトの設計生産性を高める、シルバコのレイアウト・エディタExpertの新機能についてお話します。
TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー – Part1
本ウェビナーでは、GaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。
スタンダード・セル・レイアウトのマイグレーションと最適化
本ウェビナーでは、スタンダード・セル・ライブラリのマイグレーションと最適化を効率的に行う方法を説明します。