mqSemi AG, 실바코 TCAD 시뮬레이션을 통해 3D 전력 소자 개념을 입증
실리콘 IGBT와 SiC MOSFET는 자동차, 재생에너지, 산업용 애플리케이션 등의 수많은 전력 전자 컨버터에 쓰이는 핵심적인 전력 반도체 스위치입니다. 두 소자의 개념은 계속 진화하고 있으며, 보다 적은 비용으로 전기적 및 신뢰성 성능의 향상을 지속적으로 추구하고 있습니다.
기존 전력 소자 제조사 외에도, 최근 몇 년간 참신한 솔루션을 제공하는 신생 기업이 속속 생겨나고 있습니다. 솔루션의 대다수는 더 높은 수준의 성능을 달성하기 위해 3D 설계 개념에 기초하고 있습니다. 그러한 반도체 설계의 개념을 실질적 수준으로 입증하는 것은 자금이 한정된 신생 기업에게 비용적으로 부담이 될 수 있습니다.
따라서 가치 창출의 초기 단계에서 신속하게 비용 효율적인 결과를 얻으려면, 그러한 새로운 구조의 개념을 입증하기 위한 3D TCAD 시뮬레이션이 필요합니다. 신생 기업인 mqSemi AG는 새로운 S-MOS 셀 개념이 도입하였습니다. 여기서 실바코는 1200V 실리콘 IGBT 및 SiC MOSFET의 개념적 기능을 나타내는데 필요한 TCAD 툴과 기술 지원을 제공하였습니다. 실바코의 강력한 Victory Porcess & Device와 함께 mqSemi 및 3D TCAD 모델과 시뮬레이션 결과를 소개합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 고전압 MOSFET 스위치의 특성
- 성능을 높이기 위한 3D 개념의 활용
- TCAD 3D 모델 생성
- 시뮬레이션 결과의 활용
발표
Munaf Rahimo 박사, 스위스 mqSemi AG 설립자 겸 사장
Munaf Rahimo 박사는 거의 30년 동안 전력 반도체 소자의 연구 개발에 관여해 왔으며, 약 25년간 산업 분야에서 종사하였습니다. IGBT, 다이오드, 사이리스터, SiC MOSFET 등의 광범위한 전력 반도체 소자 기술과 제품 플랫폼 개발에 기여하였습니다. 2000년 이래, ABB Switzerland Ltd.에서 기술직을 역임하였으며, 2012년에 권위있는 ABB Corporate Executive Engineer로 선정되었습니다. 2018년 컨설팅 및 기업가적 사업 모델 발굴을 하고자 ABB를 퇴사하였으며, 2019년 전력반도체 신생기업 mqSemi AG를 설립하였습니다.
참석 대상
반도체 소자, IP. 회로, CAD, SoC, 시스템 설계 엔지니어, 제품 관리자 및 엔지니어링 관리자.
일시: 2022년 3월 25일
장소: 온라인
시각: 2:00am-2:30am (한국 시각)
언어: 영어