실바코 TCAD를 활용한 RF 소자 혁신
고주파에서, 기생 요소의 정확한 모델링은 IC 설계에 중요합니다. 기판의 동작은 이러한 기생 요소에 큰 영향을 미치며, 반도체 재료의 불균일한 저항 프로필에 기인한 소신호 조건과 특히 큰 진폭의 들뜬 상태에서 모델링은 어려운 과제입니다.
이번 시간에 실바코의 TCAD Victory Device 시뮬레이션 툴로 다양한 유형의 실리콘 기반 기판의 소신호, 대신호 동작을 모델링합니다. 개발 모델은 물질 반도체 물리학에 상당히 기초를 두고 있으며, 물리적 전하 균형의 상호작용을 엄격하게 연구하여, 준-정적 조건 및 강력한 비평형 과도 조건에서 실리콘 기반 기판의 내부 동작을 광범위하게 살펴봅니다.
특히, 개발된 대신호 모델링 체계는 안정성을 입증하였습니다. 즉 공간과 시간 영역 모두에서 수렴하고, 20개 이상의 실리콘 기반 기판에서 얻은 광범위한 측정 데이터와 우수한 상관관계를 나타냅니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 다양한 유형의 실리콘 기반 첨단 기판 동작을 모델링 방법
- 물리적 전하 균형 상호작용의 연구 방법
- 준-정적 조건, 강력한 비평형 과도 조건에서 실리콘 기반 기판의 내부 작용
- 대신호 모델링 체계의 개발
발표
Jean Pierre Raskin, 루뱅 대학교 교수
Jean-Pierre Raskin 교수는 벨기에의 루뱅 대학교에서 1994년 응용과학 석사, 1997년 박사 학위를 받았으며, 2000년부터 루뱅 대학교 전기공학부에서 정교수로 재직하고 있습니다. 첨단 SOI MOSFET의 모델링, 광대역 특성화, 제조 외에 나노미터 급의 고유 물질 특성의 추출 등 마이크로/나노 MEMS/NEMS 센서 및 액추에이터의 제작에 대해 연구하고 있습니다. 2014년부터 IEEE 펠로우를 역임하고 있으며, RF SOI에 대한 비전 및 선구적인 업적을 인정받아 Médaille BLONDEL 2015, SOI Consortium Award 2016, European SEMI Award 2017, Médaille AMPERE 2019, Georges Vanderlinden Prize 2020을 수상했습니다. 그는 350편 이상의 과학 저널 기사를 집필하거나 공동 집필하였습니다. 2017년에, NGO Louvain Cooperation과 함께 강의 프로젝트 IngénieuxSud로 유럽 글로벌 교육 혁신상을 수상하였습니다.
참석 대상
반도체 소자, IP. 회로, CAD, SoC, 시스템 설계 엔지니어, 제품 관리자 및 엔지니어링 관리자.
일시: 2022년 3월 18일
장소: 온라인
시각: 2:00am-2:30am (한국 시각)
언어: 영어