MOS 마이크로 전자공학의 신뢰성 및 NBTI 노후화 시뮬레이션
반도체 소자의 지속적인 소형화는 마이크로 전자 분야의 원동력입니다. 그러나 이는 예상치 못한 성능 저하로 이어질 수 있으며, MOS 소자의 동작을 예측하기 어렵게 합니다. 특히 NBTI (Negative Bias Temperature Instability)는 소자의 성능에 심각한 영향을 미치기 때문에 업계의 관심사가 되고 있습니다. 이러한 성능저하의 이해, 예측 및 감소를 위해 TCAD 시뮬레이션이 매우 중요합니다.
이번 시간에 실바코의 TCAD 툴에서 이용할 수 있는 신뢰성 모델 중의 몇 가지를 소개합니다. 기본적인 특징과 주요 파라미터를 검토하고, 정확한 보정 및 실험 결과와의 비교에 대해 논의합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 안정성 문제를 위한 실바코 TCAD 솔루션의 기능
- 가장 중요한 모델 설명
- 기본 기능 및 주요 파라미터에 대한 논의
- TCAD 시뮬레이션의 실행 방법
- 신뢰성 시뮬레이션의 올바른 설정
- 실험 데이터와 정확한 비교
발표
Wolfgang Goes 박사는 실바코 TCAD 부서의 개발 엔지니어입니다. 2016년 입사한 이후 주로 Victory Device, Atlas를 맡고 있으며, 트랩과 신뢰성 모델을 담당하고 있습니다.
Goes 박사는 빈 공과대학에서 기술 물리학 석사 및 전기공학 박사를 취득하였습니다. 빈 공과대학의 마이크로일렉트로닉스 연구소에서 박사 후 연구원으로서, 소자의 신뢰성 문제에 매진하였습니다.
일시: 2019년 3월 1일
장소: 온라인
시각: 3:00am-3:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
반도체 소자의 성능 저하에 관심있는 학계, 엔지니어, 경영진.