MOSデバイスの信頼性およびNBTIエージングのシミュレーション
配信開始日: 2019年3月1日
半導体デバイスの絶えまない微細化は、マイクロエレクトロニクス分野の原動力となっています。しかし、この微細化は望ましくない劣化の影響と密接に関連しており、MOSデバイス動作の信頼性低下を引き起こします。特に、Negative Bias Temperature Instability (NBTI) は、デバイス・パフォーマンスに深刻な影響を与えることから、多くの関心が寄せられてきました。この劣化の影響を理解し、予測し、低減するために、TCADシミュレーションが非常に重要になります。
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールで利用可能な優れた信頼性モデルを紹介します。信頼性モデルの基本機能や重要なパラメータについて説明し、正確なキャリブレーションおよび実験結果との比較について考察します。
概要:
- 信頼性の課題で役立つシルバコのTCADソリューションの機能
- 最重要モデルの紹介
- 最重要モデルの基本機能および重要なパラメータについての考察
- TCADシミュレーションの実行方法
- 信頼性シミュレーションの正しい設定方法
- 実験データとの正しい比較
プレゼンタ
Wolfgang Goes博士は、シルバコのTCAD Divisionの開発エンジニアです。2016年にシルバコに入社して以来、主にVictory DeviceおよびAtlasの業務に携わっており、トラッピングおよび信頼性モデルを取りまとめています。
Goes博士は、ウィーン工科大学で技術物理の修士号、電気工学の博士号を取得しています。ウィーン大学のInstitute for Microelectronicsでは、博士研究員として、マイクロエレクトロニクス・デバイスの信頼性の課題に重点的に取り組んでいました。
[日本時間]
開催日: 2019年3月1日
配信: オンライン
開催時間: 3:00am-4:00am JST
言語: 英語
対象
半導体デバイスに関する劣化の影響を調査することに興味がある研究者、エンジニア、マネージャ