In the following video, I interview Silvaco customer Randy Caplan of Silicon Creations from the show floor at DAC 2019, in Las Vegas, about the latest trends and challenges for nanometer IC design success. He talks about using a suite of Silvaco design tools down to the latest 5 nm silicon process nodes. A full ranscript of the conversation is below, as well.
本ウェビナーでは、シミュレーション・ツールであるClever LCDを使用して位相に特化したLCoS-SLMを解析する方法を示します。特に、ピクセル駆動およびピクセル・サイズの縮小で起こる問題について説明します。
本ウェビナーでは、さまざまなフローの構成要素を詳しく理解できるよう説明し、運用を可能にする、あるいは妨げる要因とパフォーマンスを最適化する方法について説明します。
On Monday, May 13, Silvaco announced that the semiconductor design IP of Samsung Foundry is now marketed, licensed and supported through Silvaco. The addition of Samsung production-proven design IP complements Silvaco’s existing SIPware IP products and solutions—embedded processors, wired interfaces, bus fabrics, peripheral controllers, cores for automotive, consumer and IoT/sensor applications. The initial offering of hard design IP is for the 14nm process node and is expected to extend to advanced technology nodes at 11nm, 10nm and 8nm, as well as mature planar technologies such as 28nm.
ラスベガス – 2019年6月3日 – CEA-Techの研究機関であるLetiとチップおよび電子システムの設計用ソフトウェア、IP、サービスを半導体企業に提供する世界的リーディング・プロバイダであるSilvaco Inc. (以下シルバコ)は、本日、ラスベガスで開催中の第56回Design Automation Conference (DAC) で、コンピューティング・アプリケーションに使用される超低電圧 (ULV)、超低リーク電流 (ULL)、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ (SRAM) の歩留まりを予測およびモデリングするプロジェクトを発表しました。
テキサス州オースティン & カリフォルニア州メンローパーク – 2019年5月30日 -EDAソフトウェアおよび設計IPのリーディング・ サプライヤであるSilvaco, Inc. (以下、シルバコ)は、本日、EDAソフトウェア研究開発のジョイント・ベンチャであるSilicon Integration Initiative, Inc. (以下Si2) に15nmオープン・ソース・スタンダード・セル・ライブラリを提供することを発表しました。
May 28, 2019
Silvaco did Executive Video Interviews at our booth in the middle of the show floor at Display Week 2019 in San Jose. We interviewed industry experts on what they expected for the Display industry in 2019 and what technical challenges that needed to be met.
本ウェビナーでは、シルバコのシミュレータを用いた酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーションを紹介します。酸化物半導体特有のキャリア電子輸送と電子状態は、移動度モデルとDOS (density of subgap states) 分布に反映されます。これらのモデルパラメータ値を決定する手法を提案するとともに、その結果を適用したデバイスシミュレーションが酸化物半導体TFTの電気的特性を広い温度範囲において再現できることを示します。
May 21, 2019