GaN HEMT 소자에 대한 TCAD 기반 모델 추출 플로우
이번 시간에 GaN HEMT 소자에 대한 모델 파라미터 추출 방법을 제시합니다. Verilog-A 및 시뮬레이터 내장 모델에 대한 논의를 통해, GaN HEMT 소자에 대한 현재의 SPICE 컴팩트 모델을 검토합니다. 모델 추출에 대한 입력 데이터는 TCAD 소자 시뮬레이션을 사용하여 생성합니다. 발열이 없거나 있을 때의 데이터 생성 능력 등, 해당 접근방식의 구체적인 장점과 SPICE 모델 추출 플로우를 설명합니다. 대칭 대 비대칭 소자의 처리, 소자 구조와 관련된 모델 파라미터의 설정 및 다양한 최적화 단계의 설정 등의 세부사항을 폭넓게 소개합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- GaN 소자를 위한 SPICE 컴팩트 모델의 현황
- Verilog-A 대 시뮬레이터 내장 모델
- TCAD 소자 시뮬레이션을 사용하여 데이터 생성
- 파라미터 추출을 위한 데이터 변환
- GaN HEMT 소자에 대한 SPICE 모델 파라미터 추출
- 전제 조건
- 플로우 설명
- 최적화 단계 설정
- 플로우 실행 및 결과 설명
발표
Bogdan Tudor 박사는 실바코 소자 특성화 그룹의 책임자로서, R&D, 현업 운영 및 모델링 서비스를 포함한 소자 특성화 그룹의 모든 부문을 책임지고 있습니다. 2017년 실바코에 입사하기에 앞서, ProPlus Design Solutions의 수석 소프트웨어 설계자로 4년, 그 전에 12년간 Synopsys의 수석 R&D 엔지니어로 일하였습니다. Tudor 박사는 소자 특성화, 컴팩트 모델 개발, MOSFET 노화 신뢰성 분석 및 소프트웨어 개발에 대한 광범위한 전문 지식을 보유하고 있습니다.
Tudor 박사는 루마니아 부쿠레슈티에 있는 폴리테크닉 대학에서 전기공학 석사와 박사 학위를 취득하였습니다.
일시: 2018년 7월 20일
장소: 온라인
시각: 2:00am-2:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
GaN HEMT 소자의 모델링 및 특성화에 관심있는 학계, 엔지니어 및 경영진.