실리콘 전력 소자의 효율적인 3D TCAD 시뮬레이션
TCAD 시뮬레이션을 통해 소자를 가공하기 전에 가상으로 제조할 수 있으므로, 시간과 비용을 절약할 수 있다는 사실은 잘 알려져 있습니다. 대부분의 소자는 본디 3D 형상을 가지고 있으므로, 3D 공정 및 소자 시뮬레이션이 필요합니다. 또한 셀과 종단부를 포함하여 더 큰 소자 구조를 시뮬레이션하는 데 관심이 있습니다. 이번 시간에 새로운 통합 3D TCAD 플랫폼을 소개하고, 수직 LOCOS 트랜지스터 및 멀티셀 IGBT 구조의 전류 필라멘트의 3D 시뮬레이션에 적용합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- Victory TCAD 플랫폼 개요
- 새로운 플랫폼의 아키텍처
- 신속한 3D 프로토타입을 통해 상세한 물리적 시뮬레이션
- 메쉬 개념
- 솔버 검토
- 적용
- 수직 LOCOS 전력 소자 2D/3D 셀 설계
- 멀티셀 IGBT에서 3D 전류 필라멘트 시뮬레이션
발표
Eric Guichard 박사는 실바코의 TCAD 부문 부사장으로서 R&D부터 운영까지 TCAD 부문을 총괄합니다. 1995년 실바코에 입사한 이후, 실바코 프랑스의 이사, 전세계 TCAD 부문 운영 최고 책임자 등의 많은 직책을 거쳤습니다. 실바코에 앞서, LETI 및 Thomson Military and Space에서 트랜지스터 및 회로 노화에 관한 선임 SOI 엔지니어로 재직하였습니다.
프랑스의 그레노블 국립 공과 대학에서 재료 공학 석사 학위와 반도체 물리학 박사 학위를 취득하였습니다.
일시: 2016년 4월 15일
장소: 온라인
시각: 3:00am-3:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
전력 소자 설계자, 전력 소자 공정 개발 및 생산 엔지니어, 전력 소자 및 재료 연구원