Victory Analytics 및 머신 러닝을 활용한 TCAD 데이터의 보정
2024년 12월 12일
실험 데이터와 TCAD 시뮬레이션을 연결하기 위해 TCAD 파라미터의 보정을 향상시키는 ML-TCAD 결합 기법을 제시합니다.
원자 수준 2D-TMD-Channel FET 시뮬레이션
2024년 9월 26일
실바코의 Victory Atomisitic 툴은 양자 역학을 활용하여 이 본질적인 질문에 대응하며, 전문적인 TCAD 환경에서 2D 트랜지스터의 프로토타입을 지원합니다.
마이크론, 메모리 기술 개발 및 제조에 실바코의 Fab Technology Co-Optimization (FTCOTM) 활용
2024년 8월 29일
이번 시간에 마이크론 테크놀로지가 최신 메모리 기술의 개발 및 제조에 실바코의 FTCOTM (Fab Technology Co-Optimization) 플랫폼을 활용한 방법을 소개합니다.
AI를 활용한 Fab Technology Co-Optimization (FTCOTM)
2024년 7월 25일
실바코의 FTCO 플랫폼은 머신 러닝을 활용하여, 반도체 디지털 트윈 개발을 촉진합니다. 사용자는 제조 데이터와 TCAD 데이터를 이용하여, 머신 러닝 모델을 구축할 수 있습니다.
STMicroelectronics, SiC 소자의 단락 현상에 대한 표면 결함 점의 영향 분석에 실바코 TCAD 활용
2024년 3월 28일
SiC 소자의 스위칭 동작 중에, 소자가 과부하 비정상 상태에 도달할 수 있으므로, 일부 애플케이션에서는 강력한 사양이 필요합니다 (예: 단락 회로 및 UIS 테스트). 믹스드 모드 회로에서 이러한 현상을 시뮬레이션할 수 있으며, 시뮬레이션과 실험 정보를 교환하여 시뮬레이션 파라미터의 정확한 튜닝을 통해 동적 단계에서 전기 열의 움직임을 예측할 수 있습니다. 단락 회로의 현상에 대한 연구를 예시로 살펴봅니다. 실바코의 TCAD 시뮬레이션으로 활성 영역에 한정된 결함의 단락 회로에 대한 영향을 연구하였습니다.
실바코 TCAD 솔루션으로 GaN 기반 전력 소자 설계 및 개발
2024년 2월 29일
물리 기반 시뮬레이션 툴은 FBH 실험실에서 이러한 차세대 광대역 갭 전자 소자의 개발과 통찰에 필수적입니다. 이번 시간에 실바코 시뮬레이션 예시를 통해 수직 및 측방향 GaN 기반 전력 소자의 전기적 특성에 대한 설계, 예측, 분석을 살펴봅니다.
FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 Victory Process TCAD 기하학적 식각 모델 활용
2023년 5월 19일 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 FinFET 및 메모리 애플리케이션이라는 면에서 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀 형상 구성, 이상적이지 않은 식각 프로파일 (bowing, twisting) 및 자체 정렬 공정 (다중 패턴화)을 실현하기 위한 기술을 소개합니다.
TCAD – 포토 다이오드 개발의 핵심 요소
2023년 2월 24일 3:00am-3:30am (한국 시각)
이번 시간에 포토 다이오드 기술을 소개하고, 다양한 검출기 토폴로지 및 물질 세트에 TCAD를 폭넓게 적용하는 방법에 대해 설명합니다.
Victory Visual – 실바코의 TCAD용 시각화 솔루션
2022년 9월 23일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 TCAD를 시각적으로 표현하기 위한 Victory Visual의 기능에 대해 살펴봅니다.
Victory Atomistic TCAD 솔루션을 통해 나노 크기 원자 소자의 프로토타입 구현
2022년 9월 9일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에, 초고밀도 전계효과 트랜지스터(FET) 기술에서 5nm 노드 이하의 최신 기술 아키텍처를 설계하기 위해 원자 규모 시뮬레이션이 필요하다는 점을 설명합니다. Victory Atomistic 솔루션을 상세히 살펴봅니다.