Feb 23 webinar

원자 수준 2D-TMD-Channel FET 시뮬레이션

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AI를 활용한 Fab Technology Co-Optimization (FTCOTM)

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STMicroelectronics, SiC 소자의 단락 현상에 대한 표면 결함 점의 영향 분석에 실바코 TCAD 활용

2024년 3월 28일 SiC 소자의 스위칭 동작 중에, 소자가 과부하 비정상 상태에 도달할 수 있으므로, 일부 애플케이션에서는 강력한 사양이 필요합니다 (예: 단락 회로 및 UIS 테스트). 믹스드 모드 회로에서 이러한 현상을 시뮬레이션할 수 있으며, 시뮬레이션과 실험 정보를 교환하여 시뮬레이션 파라미터의 정확한 튜닝을 통해 동적 단계에서 전기 열의 움직임을 예측할 수 있습니다. 단락 회로의 현상에 대한 연구를 예시로 살펴봅니다. 실바코의 TCAD 시뮬레이션으로 활성 영역에 한정된 결함의 단락 회로에 대한 영향을 연구하였습니다.
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실바코 TCAD 솔루션으로 GaN 기반 전력 소자 설계 및 개발

2024년 2월 29일 물리 기반 시뮬레이션 툴은 FBH 실험실에서 이러한 차세대 광대역 갭 전자 소자의 개발과 통찰에 필수적입니다. 이번 시간에 실바코 시뮬레이션 예시를 통해 수직 및 측방향 GaN 기반 전력 소자의 전기적 특성에 대한 설계, 예측, 분석을 살펴봅니다.
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FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 Victory Process TCAD 기하학적 식각 모델 활용

2023년 5월 19일 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에 FinFET 및 메모리 애플리케이션이라는 면에서 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀 형상 구성, 이상적이지 않은 식각 프로파일 (bowing, twisting) 및 자체 정렬 공정 (다중 패턴화)을 실현하기 위한 기술을 소개합니다.
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TCAD – 포토 다이오드 개발의 핵심 요소

2023년 2월 24일 3:00am-3:30am (한국 시각) 이번 시간에 포토 다이오드 기술을 소개하고, 다양한 검출기 토폴로지 및 물질 세트에 TCAD를 폭넓게 적용하는 방법에 대해 설명합니다.
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Victory Visual – 실바코의 TCAD용 시각화 솔루션

2022년 9월 23일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에 TCAD를 시각적으로 표현하기 위한 Victory Visual의 기능에 대해 살펴봅니다.
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Victory Atomistic TCAD 솔루션을 통해 나노 크기 원자 소자의 프로토타입 구현

2022년 9월 9일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 이번 시간에, 초고밀도 전계효과 트랜지스터(FET) 기술에서 5nm 노드 이하의 최신 기술 아키텍처를 설계하기 위해 원자 규모 시뮬레이션이 필요하다는 점을 설명합니다. Victory Atomistic 솔루션을 상세히 살펴봅니다.