TCAD 및 물리 기반 디지털 트윈을 통한 GaN 소자 설계
GaN는 전력 전자, RF 시스템 및 고주파 응용 분야에서 우수한 효율성, 성능, 열 특성으로 혁신을 주도하고 있습니다. 이번 시간에 GaN의 주요 장점 및 응용 분야부터 GaN 설계 및 최적화를 위한 실바코 Victory TCAD 워크플로우를 자세히 살펴봅니다.
p-GaN 게이트 및 수직 GaN 소자 아키텍처 등의 예시와 함께, Victory TCAD에서 GaN 기술에 적합한 모델로 정확한 공정 및 소자 시뮬레이션을 시연힙니다. 또한, Victory 실험 설계 (DoE)와 Victory Analytics에서 디지털 트윈을 활용하여 신속한 설계 탐색 및 최적화 방법을 살펴봅니다. 마지막으로, Utmost IV에 의한 SPICE 모델링을 통해 소자 수준의 시뮬레이션을 회로 설계에 연계하여, GaN 개념에서 시스템 수준의 검증까지 확인합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- GaN 소자의 장점 및 응용 분야
- 실바코 Victory TCAD 워크플로우에서 정확한 GaN 공정 및 소자 시뮬레이션 방법
- p-GaN 게이트와 수직 GaN 구조를 포함한 실용적인 예시
- Victory DoE (실험 설계)와 Victory Analytics를 활용하여 설계 최적화 촉진
- Utmost IV에서 SPICE 모델링을 사용하여 TCAD와 회로 수준 시뮬레이션 연계
발표
Udita Mittal, 실바코 FAE
Udita Mittal은 2019년 TCAD FAE로 실바코에 입사하여 인도 지사에서 근무하고 있습니다. 그녀는 뉴욕주 로체스터의 로체스터 공과대학교에서 마이크로일렉트로닉스 석사 학위를 취득했습니다. 다양한 기술의 제조 공정 시뮬레이션에서 공정 시뮬레이션, 교육 및 기술 지원을 담당하며, 특히 WBG 소자를 전문으로 합니다. Udita는 고전적 및 비고전적 소자 시뮬레이션과 2D 소자의 원자 모델링 및 소자 시뮬레이션을 활용하여 재료 특성화 작업을 수행하였습니다.
참석 대상
공정 엔지니어, 시뮬레이션 엔지니어, 제작 엔지니어, 제품 관리자, 엔지니어링 임원
일시 (한국 시각)
9/18 11:00 am (10:00 Beijing)
9/18 6:00 pm (11:00 Paris)
9/19 2:00 am (10:00 Santa Clara)