Victory Atomistic TCAD 솔루션을 통해 나노 크기 원자 소자의 프로토타입 구현
초고밀도 전계효과 트랜지스터(FET) 기술은 5nm 노드 이하의 최신 기술 아키텍처를 설계하기 위해 원자 규모 시뮬레이션이 필요합니다. Victory Atomistic은 비평형 그린 함수(NEGF)와 최첨단 밴드 구조 계산을 조합하여, 다양한 기능의 예측 가능한 시뮬레이션을 빠르게 수행합니다. Victory Atomistic을 설명하기 위해, 작은 단면을 갖는 실리콘 나노와이어 FET (NWFET)을 이용합니다. 이는 일관성 있는 Born 근사법에서 여러 개의 전자-포논 산란 메커니즘을 포함하여, 일반화된 저순위 투영 (low-rank projection)에 의해 최적화됩니다.
NEGF 이론에 대한 학문적 지식을 완전히 갖추고 있지 않더라도, NWFET 시뮬레이션을 쉽게 수행할 수 있습니다. 수년간에 걸친 최고 수준의 개발 과정에서 복잡한 부분은 툴에 통합되었으며, Victory Atomistic 최적화를 통해 사용자는 매일 의미 있는 I(V) 곡선을 얻을 수 있습니다. 실바코 환경에서의 통합을 통해, TCAD 사용자는 원활하게 이행할 수 있습니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 초고밀도 원자 시뮬레이션의 필요성
- Victory Atomistic TCAD 환경의 설정
- 나노와이어 FET: Victory Atomistic의 시뮬레이션 성능
- 성능, 결과의 시각화 및 다른 구성으로의 확장
발표
Philippe Blaise 박사, 실바코 TCAD 부문, 선임 애플리케이션 엔지니어
Philippe Blaise 박사는 3년간 실바코 TCAD 부문에서 원자 시뮬레이션 분야의 선임 애플리케이션 엔지니어로 근무하였습니다. 실바코에 합류하기 전에, Blaise 박사는 CEA/LETI에서 15년 동안 수석 엔지니어로 일하며, 새로운 메모리 소자와 트랜지스터의 원자 시뮬레이션을 전문적으로 연구하였습니다. 또한, IEEE IEDM 모델링 및 시뮬레이션 위원회의 위원을 역임한 바 있습니다. 해당 분야의 동료 평가 저널에서 50편 이상의 논문을 공동 집필하였으며, 컨퍼런스 및 워크샵에 기고 30편, 특허 5개, 도서의 챕터 1장을 작성하였습니다.
Blaise 박사는 ENSIMAG 엔지니어링 스쿨에서 응용 수학 석사 학위를, 프랑스 그레노블 알페스 대학교에서 고체 물리학 박사 학위를 받았습니다.
참석 대상
고급 공정 구조에서 차세대 원자 소자를 빠르게 시뮬레이션하는 솔루션에 관심있는 TCAD 엔지니어 및 관리자
일시: 2022년 9월 9일
장소: 온라인
시각: 2:00am-2:30am (한국 시각)
언어: 영어