와이드 밴드갭 전력 소자의 TCAD 시뮬레이션
와이드 밴드갭 전력 소자의 시뮬레이션은 항상 수렴 문제를 제기하였습니다. 또한, 제조 데이터와 관련하여 모델의 정확성과 보정의 중요성이 커지고 있습니다. 이번 시간에 SiC, GaN, Ga2O3 전력 소자의 시뮬레이션을 소개합니다. 각각의 경우에 대해 시뮬레이션 접근법과 그 결과를 논의합니다. 또한 쇼트키 다이오드를 포함하여 SiC 전력 소자에서 단일 이벤트 효과 (SEE)의 전기-열 시뮬레이션과 그에 따른 열-기계 응력 그리고 와이드 밴드갭 물질에 대한 공정 시뮬레이션 기능의 최근 상황과 성공적인 검증에 대해서도 알아봅니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- SiC IEMOSFET 시뮬레이션
- 다양한 인터페이스 결함 분포 및 도핑 프로파일
- 계면 전하에 의한 원격 산란 효과를 포함한 이동도 모델
- GaN Super HFET 시뮬레이션
- 더블 헤테로 인터페이스 GaN/AlGaN/GaN에서의 극성 전하, 2DHG, 2DEG
- GaN 버퍼 층에서의 결함 사양
- 고전압 고장 시뮬레이션
- Ga2O3 MOSFET 시뮬레이션
- 새로운 물질 친화도, 밴드갭( 4.8eV), 유효 상태 밀도 (전자 및 홀)
- 전기-열 효과를 시뮬레이션하기 위한 열 흐름 모델
- 실험 데이터를 사용한 유효성 검사
- AlGaN/GaN 소자 특성에 미치는 내부 응력의 영향
- SiC 전력 소자에서 SEE (Single-event effect)에 관한 전기-열 시뮬레이션 및 열-기계 응력
- 실바코 TCAD 제품군의 SiC 산화 모델에 대한 최근 상황 및 검증
발표
Marek Turowski 박사는 실바코 본사의 TCAD 선임 애플리케이션 엔지니어입니다. 반도체 소자와 IC의 모델링, 시뮬레이션, TCAD, 멀티 도메인 (전기, 광학, 전자기, 열, 기계) 분석, 설계 및 최적화 분야에서 25년 이상의 경력을 쌓았으며, 200편 이상의 논문을 저술 또는 공동 저술하였습니다. IEEE의 수석 회원으로서, 1998-2013년에 앨라배마, 헌츠빌의 CFD Research Corporation (CFDRC)에서 근무하며 TCAD 소자 시뮬레이션 툴의 개발을 주도하였습니다. 2013-2015년에 캘리포니아, 플레전턴의 Robust Chip 사와 함께 다양한 환경 영향 연구 (미국 정부기관, 항공우주산업, NASA 등)를 포함하여 반도체 소자와 IC에 대해 TCAD와 관련된 수많은 프로젝트를 이끌었습니다.
1983년과 1992년에 폴란드의 우치 공과대학에서 전자공학 석사, 박사 학위를 받았으며, 호주의 시드니 대학 (1992-93)과 미국 렉싱턴의 켄터키 대학 (1996-97)에서 박사후 과정을 마쳤습니다.
일시: 2016년 6월 24일
장소: 온라인
시각: 3:00am-3:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
와이드 밴드갭 전력 소자 개발에 관심있는 공정 엔지니어, 소자 엔지니어 및 연구원