SiC 및 기타 와이드 밴드갭 물질: 공정부터 소자 시뮬레이션까지
이번 시간에 실바코의 TCAD 툴을 소개하고, wide bandgap 물질에 대한 공정 및 소자 시뮬레이션 기능을 살펴봅니다. 또한, SiC JBS 다이오드와 GaN FET 등 다양한 실제 사례에 대해 설명합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- TCAD란 무엇이며, 어디에 활용하는가
- Wide bandgap 물질의 공정 모델링에 TCAD를 활용하는 방법
- Wide bandgap 소자의 전기적 성능 모델링에 TCAD를 활용하는 방법
발표
David Green 박사는 실바코 영국 사무소의 선임 엔지니어로서, TCAD 고객의 사전/사후 판매 지원 및 R&D TCAD 프로젝트 관리 등을 맡고 있습니다. 그는 전력, 디스플레이, 신뢰성, 광학 등 다양한 용도에 대한 지원을 제공합니다.
박사과정 및 박사후 연구 동안 집적회로에 대한 수직 및 횡방향 전력 소자의 설계, 시뮬레이션, 개발 및 시험을 수행하였습니다.
일시: 2019년 11월 1일
장소: 온라인
시각: 3:00am-3:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
SiC 및 실리콘 기반 전력 소자의 설계 및 최적화에 관심있는 학계, 엔지니어 및 경영진.