Learn How Victory Atomistic TCAD Solution Can Help You Succeed at Prototyping Atomistic Nanoscale Devices
配信開始日: 2022年9月9日
超微細電界効果トランジスタ（FET）技術は、5nmノード以下の最先端技術アーキテクチャを設計するために、原子スケールでのシミュレーションを必要としています。Victory Atomisticは、非平衡グリーン関数（NEGF）と最先端のバンド構造計算を組み合わせることで、汎用的で予測性の高い高速シミュレーションを可能にします。Victory Atomisticの使用法を説明するため、小さな断面を持つシリコン・ナノワイヤ電界効果トランジスタ（NWFET）に対して、いくつかの電子-フォノン散乱機構を考慮し、自己無撞着Born近似内で、一般化低ランク投影により最適化した解析例を使用します。
NEGF理論に関する十分な学術的知識がなくてもNWFETのシミュレーションが簡単に実行できるようになっていること、複雑な理論は、長年の開発実績を有するシミュレーション・ツール内部で適切に処理されていること、Victory Atomisticの最適化によりユーザが日々意味のあるI(V)カーブを得られること、そしてシルバコ環境内での統合によりTCADユーザがスムーズに移行できることを説明します。
内容
- 超微細FET技術で原子シミュレーションが必要になる理由
- Victory Atomistic TCAD環境のセットアップ方法
- ナノワイヤーFETの Victory Atomisticのシミュレーション能力
- 性能、結果の可視化、他構成への拡張性
プレゼンタ
Dr. Philippe Blaise, Senior Application Engineer, Silvaco TCAD Division
Philippe Blaise 博士は、シルバコのTCAD部門で3年間、原子シミュレーションのシニア・アプリケーション・エンジニアを務めています。シルバコ入社以前は、CEA/LETIで15年間、新しいメモリ・デバイスやトランジスタの原子論的シミュレーションを専門とするシニア・エンジニアを務めていました。IEEE IEDM Modelling and Simulation Committeeの元メンバーでもあります。この分野のピアレビュー誌に50以上の論文、会議やワークショップに30以上の寄稿、さらに5つの特許と1つの本の章の共著者でもあります。
ENSIMAG工学部で応用数学の修士号を、フランスのUniversité Grenoble Alpesで固体物理学の博士号を取得しています。
対象
高度なプロセス形状における次世代原子論的デバイスの超高速シミュレーションを効率的に実現するソリューションをお探しのTCADエンジニアとマネージャの方
[日本時間]
開催日: 2022年9月9日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語