Learn How to Use Victory Process TCAD Geometric Etch Models in FinFET and Memory Applications
複雑なデバイス構造を生成するためにプロセス・シミュレーションを行う時、TCADエンジニアはしばしば、半導体製造において観察された正確なエッチング・プロファイルを再現する課題に直面します。シルバコのVictory Processは、顕微鏡画像（透過型電子顕微鏡など）に正確に一致するエッチング形状を効率的に実現できるよう、いくつかの幾何学モデルを提供しています。
本ウェビナーでは、FinFETおよびメモリ製造への応用を題材として、幾何学エッチング・モデルを紹介します。フィン形状や、非理想的なエッチング・プロファイル（ボーイング、ツイスト）、自己整合プロセス（マルチパターニング）を実現する技術を紹介します。
内容
- 顕微鏡画像で観察される正確なエッチングプロファイルを実現する方法
- FinFETフローで正確なフィン形状を実現する、シルバコのVictory Processの効率的な使い方
- メモリ応用（3D NAND）におけるトレンチとコンタクト・ホールへの幾何学エッチング・モードの適用方法について
- シルバコのVictory Processの強力で適応力のあるETCH DRYとETCH POLYLINEコマンドの使い方
プレゼンタ
Alexander Toifl, Development Engineer, Silvaco TCAD Division
シルバコTCAD事業部の開発エンジニアであるAlexander Toiflは、2021年にシルバコに入社以来、Victory Processのエッチング・モデルやデポジション・モデルに取り組んでいます。Alexander Toiflは、オーストリアのウィーン工科大学（TU Wien）で電気工学の博士号を、同大学でマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの修士号を取得しています。
対象:
プロセスTCADフローでエッチング・プロファイルを効率的に実現するソリューションをお探しのエンジニアや管理職の方
[日本時間]
開催日: 2023年5月19日
配信: オンライン
開催時間: 2:00am-2:30am JST
言語: 英語