シルバコ、欧州のワイドバンドギャップ半導体イノベーション・エコシステムであるGaN Valley™に参加

カリフォルニア州サンタクララ発 – 2024年1月29日

TCAD、EDAソフトウェア、デザインIPのプロバイダであるシルバコ・グループ社（以下、シルバコ）は本日、効率的な窒化ガリウム（GaN）パワー・デバイス設計の最先端技術の発展と、Victory TCADプラットフォームによる顧客の技術革新を支援するため、GaN Valley™に参加したことを発表しました。窒化ガリウムは、高い電子移動度で知られるワイドバンドギャップ半導体であり、その優れた性能特性からパワーエレクトロニクスで一般的に使用されています。

GaN Valley™は、窒化ガリウム技術に特化した欧州の技術ハブです。GaN Valley™は、エネルギー供給と電気エネルギーの使用がますます効率的（エネルギーの無駄が少ない）、小型、軽量、低コストになる必要のある電子システムの成長産業を対象としています。

シルバコのVictory TCADプラットフォームは、さまざまな数値計算手法、物理モデル、SPICEモデル生成、最新のグラフィカル・ユーザー・インターフェイスを組み込んだ包括的なシミュレーション環境を提供します。このプラットフォームにより、顧客は革新的かつ効率的にパワーデバイスの設計と性能最適化を行うことができ、特に最新世代のGaNベースの半導体パワーデバイス向けに調整されています。ユーザーフレンドリーな環境に様々なツールや手法を統合し、AI（人工知能）と組み合わせることで、エンジニアや研究者は設計とシミュレーションの段階を迅速に繰り返すことができます。

「急速に進化するGaN技術と、2027年までに20億ドルの市場が見込まれるGaNは、パワー半導体市場でその地位を確立しつつあります。GaN Valley™は、欧州で発展している新しくユニークなエコシステムであり、現在、欧州のGaNバリューチェーンに沿って活動する60近いメンバーで構成されています。GaN Valley™は、連携と協力を通じて、欧州およびそれ以遠のGaNベースの産業の革新とビジネス開発を加速します。GaN Valley™は、低エネルギー消費社会とカーボンニュートラルな未来への移行において、GaN技術の重要性が高まっていることを認識し、GaN半導体の革新と設計のためのツールと方法論の進歩を可能にするメンバーとしてシルバコを迎えることを喜ばしく思います。」と、GaN Valley™の共同設立者であり、BelGaN FoundryのCTOであるMarnix Tack博士は述べています。

「シルバコは、Victory TCADプラットフォームにより、GaN半導体のプロセスやデバイスのイノベーションをターゲットとしたTCAD技術を開発してきた長い歴史を持っています。GaN Valleyに参加することで、我々はノウハウを共有し、GaN Valleyメンバー内の主要な研究チームと協力することで、設計コミュニティに新しい革新的なソリューションをもたらし、GaNベースの半導体を設計するための強力なエコシステムの構築を支援します。」と、シルバコのSVP兼TCAD Division GMのEric Guichard博士は述べています。

概要：Silvaco Group, Inc.

シルバコは、TCAD、EDAソフトウェア、半導体設計IPを提供する企業で、先端半導体、パワーIC、ディスプレイ、メモリ、SoC設計のプロセスおよびデバイス開発に使用されています。シルバコはカリフォルニア州サンタクララに本社を置き、北米、欧州、ブラジル、中国、日本、韓国、シンガポール、台湾にオフィスを構えるグローバル企業です。

本件に関してのお問い合わせ：
jppress@silvaco.com

概要：GaN Valley(www.ganvalley.org)

GaN Valley™は、窒化ガリウム（GaN）に特化した主要な技術ハブであり、GaN技術と製品の協力、教育、研究、開発、革新を推進するサプライチェーンに沿ったすべての関係者を集め、市場への参入、採用、成長を可能にしています。