Power Devices SPICE Modeling for Si, GaN and SiC Technologies
配信開始日: 2024年2月13日
本ウェビナーでは、最初にSi、GaN、SiC など、パワー・デバイスの製造に使用されるさまざまな技術について、それぞれの特質と利点を考察します。
次に、コンパクト・モデルやマクロ・モデルなど、パワー・デバイスの SPICE モデリングに対する様々なアプローチを分析します。
プレゼンテーションの大部分は、パワー FET のモデリングに費やされます。特に、バイアス依存のキャパシタンスに適切に対処する方法と、動的特性に基づくモデルチューニングに対処する方法を説明します。
最後に、寄生素子やモデル精度など、パワー・デバイス特有の課題に対処するためのノウハウをご紹介します。
内容
- GaN および SiC FET の SPICE モデル
- パワーFET固有のキャパシタンスのモデリング
- 一般的なパワー FET モデル抽出方法
- TCAD ベースの SPICE モデリングの利点
- Si、GaN、SiC デバイスの SPICE モデリング例
プレゼンタ
Bogdan Tudor, Director, Device Characterization
Bogdan Tudor は、シルバコのDevice Characterizationグループの責任者で、Utmost および Modeling Service チームを率いています。モデル開発とキャラクタライゼーション・ソフトウェアの分野で20年以上の経験を有しています。
対象:
半導体デバイスおよびプロセスエンジニア、プロダクトマネージャ、エンジニアリングマネージャ
[日本時間]
開催日時:
2024年2月8日
12:00pm-12:30pm JST
7:00pm-7:30pm JST
2024年2月9日
3:00am-3:30am JST
(各回、同じ内容になります。)
配信: オンライン
言語: 英語