How to Design Wide Band-Gap Power Devices using Silvaco TCAD Solution
Silvaco Simulation Standard: TCAD Simulation of Electric Field Distribution in Gallium Nitride Trench based Power Devices
配信開始日: 2021年2月22日
ワイドバンドギャップ(WBG)やウルトラWBGパワーデバイスの設計についてご紹介します。設計チームがシルバコのTCAD 3Dシミュレーションをどのように活用しているかをご確認いただけます。
- GaN FinFET およびトライゲート・パワー・デバイスの設計
- 製造プロセス・シミュレーション
- 電力性能評価のためのセルフ・コンシステントなエレクトロ・サーマル(電熱)シミュレーション
- 電源回路のデバイスダイナミクスを研究するためのデバイスと回路のMixed-Modeシミュレーション
- デバイスの信頼性と耐久性を理解するためのMixed-Modeシミュレーション
Key Process of Vertical GaN; Trench formation and corner rounding
プレゼンタ
Dr. Yuhao Zhang
Assistant Professor, Center for Power Electronics Systems, Virginia Tech
Yuhao Zhang博士は、バージニア工科大学 Center for Power Electronics Systems (CPES)の Assistant Professorです。CPESに加入以前は、2017年から2018年までマサチューセッツ工科大学(MIT)のPostdoctoral Associateとして勤務していました。MITで2013年に電気工学の修士号、2017年に博士号を取得しています。
MIT以前の2011年には、北京大学で物理学の学士号を最優秀の成績で取得しています。2017年春にはMITマイクロシステム技術研究所博士論文賞、2019年にはIEEEジョージ・スミス賞を受賞しています。彼の研究関心は、パワーエレクトロニクス、マイクロ/ナノ電子デバイス、先進半導体材料の交差点にあります。
対象
SiC、その他のワイドバンクギャップ・パワーデバイスを設計し最適化するためのソリューションを探しているデバイス/プロセスエンジニアおよびマネージャ
[日本時間]
開催日: 2021年2月12日
配信: オンライン
開催時間: 3:00-3:20 JST
言語: 英語