• 2021 Baseline Features

2021 Baseline機能紹介

2021 Baselineソフトウェアが以下よりダウンロード可能になりました。
ソフトウェア・ダウンロード

本リリースには、新製品をはじめ、数多くの新機能追加、品質の向上、およびユーザ・インタフェースの改善が含まれています。

以下に2021 Baselineの主な追加機能をご紹介します。
(ソフトウェアのリクエストやインストール方法については、こちらのページをご覧ください。)

Analog/Mixed-Signal Simulation and SPICE Device Modeling

SmartSpice

  • パフォーマンスとキャパシティの向上:最大4倍の高速化と9倍のメモリ削減
  • SmartSpice RFの改善:周期的な定常状態と位相ノイズのフローを刷新
  • 新しいGUIテクノロジ:より速く、より安定した操作性

SmartView

  • カスタマイズ可能なデータ・ブラウザ用フィルタ
  • シングル・ポイント・データ用プロット (.OP, .DC, .MEAS)の強化
  • Redo/Undoの履歴管理ウィンドウ
  • tr0波形のサポート強化

Utmost IV

  • データ整合性チェック機能
  • 最適化モジュールにおいてattribute値でデバイスをソートするモードの追加
  • プロジェクト名によるデータベースのフィルタリング機能
  • ファイル・モードでのデータ読み込みエラーの詳細表示
  • ACおよびノイズ・データセットの新しいderiv関数

Gateway

  • OpenAccessおよびiPDKのサポート
  • シンボルとスケマティックの両方で、セルごとに複数のビューをサポート
  • SmartLVSとの統合
  • Calibre LVSとの統合

SmartDesign(新製品)

  • GatewayのDevice Explorer機能
    • パラメータ変更に対する電気的応答をダイナミックに可視化
  • SmartView Proの機能統合
    • カスタムおよび内蔵式のカルキュレータ
    • Axis-break機能による複数領域のズーム
    • トレース・スムーサ
    • サードパーティ・アプリケーションへの波形データのドラッグ&ドロップ

Custom IC CAD

Expert

  • OpenAccess、PyCells、iPDKのサポート
  • Advanced VIAサポート
  • SmartDRC/LVS/RDEとの統合
  • DXFインポート/エクスポートのサポート

注意事項 : GDSIIの入出力メニューが変更

  • GDSII入力 : [ファイル]->[インポート]
  • GDSII出力 : [ファイル]->[エクスポート]

SmartDRC(新製品)

  • ハイパフォーマンスな物理検証
  • 包括的なルール言語
  • スタンドアロンでの実行、およびExpertとの統合

SmartLVS(新製品)

  • ハイパフォーマンスなレイアウト vs 回路図、レイアウト vs レイアウトの比較
  • スタンドアロンでの実行、およびExpert/Gatewayとの統合

SmartRDE(新製品)

  • フィジカル検証のための包括的で直感的な実行・デバッグ環境
  • ウェイバ・システム対応
  • スタンドアロンでの実行、およびExpert/Gatewayとの統合

SiCure(新製品)

  • IRドロップ解析(シミュレーション・ベース、マルチモード)
  • 熱解析(シミュレーションベース、マルチモード)
  • 等抵抗マップ解析
  • ポイント・ツー・ポイント抵抗計算機(マルチモード)

Parasitic Extraction

Hipex-FS

  • フィールド・ソルバとルール・ベースのアプローチを統合したGUI環境
  • FEMとBEM両方のフィールド・ソルバの統合
  • 独自の領域分割技術を用いた構造解析とフィールド解析のマルチ・プロセッシング

TCAD

Victory Process

  • 高度に設定可能な応力境界条件
  • 経験的なシリサイド化モデル
  • モンテカルロ・イオン注入のためのオープンな物理パラメータ
  • 物理的エピタキシ・モデル
  • テーブル・ベースの活性化モデル

Victory Mesh

  • offsetコマンドにより、インタフェース表面の複製、オフセット操作が可能(二次元)。これを利用して、非構造メッシュ生成の一部にセミコンフォーマルなメッシュ領域を配置可能
  • path/followコマンドの組み合わせにより、ソリッド・モデリング・デバイスの中に、複雑な形状を挿入可能
  • Delaunayメッシュ生成で周期境界をサポート

Victory Device

  • Amphoteric欠陥
  • 量子井戸に対するCapture-escapeモデル
  • SONOSモデル
  • シリコンのひずみ依存性状態密度モデル

TCADについては以下のSimulation Standard(英語)により詳しい更新内容を 記載していますので合わせてご確認ください。
Simulation Standard