실바코의 TCAD를 활용한 3D 실리콘 시뮬레이션
이번 시간에 실바코의 TCAD를 활용하여, 메모리 소자, 실리콘 전력 소자, RF SOI 소자 및 FinFET과 같은 최신 CMOS 기술 등, 3D 실리콘 기술에 대한 시뮬레이션 방법을 소개합니다. 실바코의 Victory Process를 통해 고도의 실리콘 분야에서 식각, 증착, 이식, 확산 등, 주요 제작 단계의 시뮬레이션 과정을 살펴봅니다.
Victory Device에서 설계에 대해 정확한 전기적 특성을 도출하여, 성능에 대한 통찰력을 얻는 방법을 살펴봅니다. Victory DOE에서 효율적인 실험 설계 (DOE)를 만들어, 다양한 설계 변수를 체계적으로 탐색하는 방법을 시연합니다. 또한, Victory Analytics에서 시뮬레이션 결과를 분석 및 최적화하여 설계를 개선하고 출시 기간을 단축하는 방법을 소개합니다.
내용
- 최신 3D CMOS, 메모리 시뮬레이션에서 Victory Process의 최신 모델 및 기능
- FinFET 시뮬레이션에서 Victory Device의 최신 모델 및 기능
- 3D 실리콘 기술 시뮬레이션의 적용 사례 – 실바코 TCAD를 활용한 FinFET, RF SOI, 전력 LDMOS, 메모리
- 설계 최적화 – Victory DOE, Victory Analytics를 활용하여 설계 개선 및 개발 시간 단축
발표
Mao Li, TCAD FAE 디렉터 – Advanced CMOS
Mao Li는 벨기에의 KU Leuven에서 이학 석사 학위를 받았습니다. 2015년부터 2016년까지 IMEC (Interuniversity Microelectronics Center)에서 연구 조교로 일하며 2차원 소재 MoS₂에 대한 초기 연구에 기여하였으며, MoS₂ 소자의 제작 및 특성화를 완료하였습니다. 2017년부터 SMIC 기술 개발 센터와 HiSilicon 연구 부서에서 TCAD 공정과 소자 시뮬레이션을 전문으로, 최신 논리 소자 시뮬레이션과 DTCO 분석을 중점적으로 연구하였습니다. 실바코에서 CMOS 애플리케이션 엔지니어링 팀을 담당하여, 파운드리 고객에게 기술 지원을 제공하고 있습니다.
참석 대상
공정 엔지니어, 시뮬레이션 엔지니어, 제조 엔지니어, 제품 관리자, 엔지니어링 관리자.
일시 (한국 시각)
5/1 11:00 am (10:00 Beijing)
5/1 6:00 pm (11:00 Paris)
5/2 2:00 am (10:00 Santa Clara)