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SEE (Single Event Effects)의 모델링 및 분석

이번 시간에 SEE (Single Event Effects)의 영향을 모델링하기 위한 방법과 소자 및 회로에 미치는 영향을 설명합니다. 현대 소자 기술의 놀라운 발전에 따라 이러한 현상에 의한 방사선 효과 모델링이 요청되었으며, 형상 크기의 감소에 의해 SEE의 정확한 모델링 및 기타 중요한 방사선 효과를 생성하였습니다. 여기에는 SER (Soft Error Rate), MBU (Multi Bit Upsets), 칩 패키징, 소자 및 회로 수준에서 상세한 SEE 모델링의 필요성이 포함됩니다.

다음 사항을 살펴봅니다.

  • SEE의 중요성
  • 기본 메커니즘
  • 파괴적인 SEE
    • 모델링 및 분석 – TCAD 툴 플로우
    • SEE에 대한 회복력을 향상시키기 위한 소자 기술
  • 비파괴 SEE
    • 모델링 및 분석 – TCAD 및 EDA 툴 플로우
    • 비파괴 SEE 감소를 위한 소자 및 회로 기법
  • DC-DC 부스트 컨버터, 전력 다이오드 및 Quenching 로직 블록에 대한 시스템 방법론 예제

발표

실바코의 항공우주 및 국방 부문 수석 엔지니어인 Christopher Nicklaw 박사는 35년 이상 물질의 방사선 효과에 대해 연구하였습니다. 방사선 환경에 노출된 군사 시스템과 상용 시스템 모두에 대해 소자, 회로 및 시스템 수준의 모델링, 시뮬레이션, 분석 및 설계 방법을 제공하였습니다.
Nicklaw 박사는 조지아 공대에서 전기공학 학사, 해군 대학원에서 전기공학 석사, 산타 클라라 대학에서 컴퓨터 공학 석사 및 MBA, 밴더빌트 대학교에서 박사 학위를 받았습니다.

일시: 2014년 1월 7일
장소: 온라인
시각: 3:00am-3:30am (한국 시각)
언어: 영어

참석 대상

SiC 및 실리콘 기반 전력 소자를 설계하고 최적화하는데 관심있는 학계, 엔지니어 및 관리자.