Victory Atomistic에서 Gate-All-Around 소자 시뮬레이션
반도체 소자가 FinFET을 넘어 Gate-All-Around (GAA) 아키텍처로 발전함에 따라 나노 규모에서 정확한 모델링이 필수적으로 되었습니다. 실바코의 첨단 원자 시뮬레이터, Victory Atomistic™을 활용하여, 양자 수준의 정밀도로 GAA 트랜지스터 성능을 탐색하고 최적화하는 방법을 살펴봅니다.
이번 시간에 원자 시뮬레이션에서 양자 구속, 결정 방향, 변형 및 밴드 구조 공학과 같은 중요한 효과를 확인합니다. 이는 기존 TCAD 툴에서 종종 간과한 현상입니다. Victory Atomistic은 Victory TCAD™ 플랫폼과 통합되어 GAA FET에 대한 예측 모델링을 제공함으로써, 빠른 설계 방법과 차세대 소자의 동작에 대한 심도있는 이해를 제시합니다.
비평형 그린 함수 (NEGF) 이론에 대한 학문적 지식이 많지 않더라도, GAA FET를 간단하게 시뮬레이션할 수 있습니다. Victory Atomistic은 수년간의 노력으로, 매우 정교한 시뮬레이션 엔진에 복합적인 성능을 캡슐화하였습니다. 최적화된 워크플로우를 통해 유의미한 I-V 곡선을 생성할 수 있으며, 실바코 TCAD 환경과 원활하게 통합하여, 기존 사용자도 직관적으로 이용할 수 있습니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 원자 시뮬레이션의 필요성
- Victory Atomistic TCAD 환경의 설정
- Victory Atomistic의 시뮬레이션 성능
- 성능, 결과의 시각화 및 기타 구성으로의 확장
발표
Philippe Blaise 박사, 실바코 TCAD 부문, 선임 애플리케이션 엔지니어
Philippe Blaise 박사는 3년간 실바코 TCAD 부문에서 원자 시뮬레이션 분야의 선임 애플리케이션 엔지니어로 근무하였습니다. 실바코에 합류하기 전에, Blaise 박사는 CEA/LETI에서 15년 동안 수석 엔지니어로 일하며, 새로운 메모리 소자와 트랜지스터의 원자 시뮬레이션을 전문적으로 연구하였습니다. 또한, IEEE IEDM 모델링 및 시뮬레이션 위원회의 위원을 역임한 바 있습니다. 해당 분야의 동료 평가 저널에서 60편 이상의 논문을 공동 집필하였으며, 컨퍼런스 및 워크샵에 기고 30편, 특허 5개, 도서의 챕터 1장을 작성하였습니다.
Blaise 박사는 ENSIMAG 공과대학에서 응용 수학 석사 학위를, 프랑스 그레노블 알프스 대학교에서 고체 물리학 박사 학위를 취득하였습니다.
참석 대상
고급 공정 구조에서 차세대 원자 소자를 빠르게 시뮬레이션하는 솔루션에 관심있는 TCAD 엔지니어 및 관리자
일시 (한국 시각)
7/31 11:00 am (10:00 Beijing)
7/31 6:00 pm (11:00 Paris)
8/1 2:00 am (10:00 Santa Clara)