원자 수준 2D-TMD-Channel FET 시뮬레이션
2D-TMD 채널 트랜지스터가 실리콘의 대안이 될 수 있을까요? FET 채널이 단지 몇 개의 원자층으로 축소되는 것을 고려하면, 원자 수준 솔루션만이 그 해결책으로 보입니다. 실바코의 Victory Atomisitic 툴은 양자 역학을 활용하여 이 본질적인 질문에 대응하며, 전문적인 TCAD 환경에서 2D 트랜지스터의 프로토타입을 지원합니다.
다음 사항을 살펴봅니다.
- 원자 수준 2D TMD NR 아키텍처의 물리학 및 엔지니어링 이해
- Atomistic TCAD를 사용해야 하는 이유
- 원자 수준 시뮬레이션 및 프로토타입
- 2D-TMD TFET 예시
발표
Philippe Blaise 박사, 실바코 선임 애플리케이션 엔지니어
Philippe Blaise 박사는 3년간 실바코 TCAD 부문에서 원자 시뮬레이션 분야의 선임 애플리케이션 엔지니어로 근무하였습니다. 실바코에 앞서, Blaise 박사는 CEA/LETI에서 15년 동안 수석 엔지니어로 일하며, 새로운 메모리 소자와 트랜지스터의 원자 시뮬레이션을 전문적으로 연구하였습니다. 또한, IEEE IEDM 모델링 및 시뮬레이션 위원회의 위원을 역임한 바 있습니다. 해당 분야의 동료 평가 저널에서 50편 이상의 논문을 공동 작성하였으며, 컨퍼런스 및 워크샵에 30편의 기고, 5개의 특허, 1장의 도서 챕터를 저술하였습니다.
Blaise 박사는 ENSIMAG 엔지니어링 스쿨에서 응용 수학 석사 학위를, 프랑스 그레노블 알페스 대학교에서 고체 물리학 박사 학위를 받았습니다.
참석 대상
TCAD 엔지니어, 소자 엔지니어, 공정 엔지니어, 제품 관리자, 엔지니어링 관리자
일시 (한국 시각)
9/26 11:00 am (10:00 Beijing)
9/26 6:00 pm (11:00 Paris)
9/27 2:00 am (10:00 Santa Clara)