総線量、放射線流による損傷、即発線量およびSEUのTCADシミュレーション
配信開始日: 2015年2月18日
このウェビナーでは、宇宙空間または高エネルギー粒子や光子源付近など、一般的な4つの放射線環境下でエレクトロニクス・デバイスを使用した場合に発生する動作特性の変化について、酸化膜電荷や物理的損傷などを含む具体的なシミュレーション方法を取り上げます。高エネルギー粒子には、放射線関連事象やその他発生源から放射されるX線、ガンマ線、エネルギー電子、陽子、中性子などが含まれます。このような放射線がデバイスに及ぼす影響を、高線量と低線量の両方について、物理ベースのTCADシミュレータを使用してシミュレーションを行います。
概要:
- 最近公開された総線量モデルの紹介
- 酸化膜中のトラップされた正孔の放射線によるデトラップを含む、総線量モデルの物理メカニズムの説明
- 放射線照射時のバイアス条件が、どのように放射線用に強化された酸化膜中のトラップされた正孔の濃度を低減し、その結果、放射線の影響を受けたしきい値電圧を回復するかについて（通常の界面トラップの低速形成による「リバウンド」効果とは異なる）
- 半導体の損傷を引き起こす粒子流のシミュレーション方法
- 過渡的で非常に高い線量率の「即発(prompt)」イベントのシミュレーション方法
- その他、従来の高エネルギーシングル粒子イベント(SEE)のシミュレーション
- 例題として、総線量酸化膜電荷によるしきい値電圧の変化とデバイス間のリーク、陽子流によるイメージセンサの損傷、回路への即発線量照射の影響、パワーPiNダイオードのシングル・イベント・バーンアウト(SEB)、ならびに22nm SRAMのシングル・イベント・アップセット(SEU)
プレゼンタ
シルバコのPrincipal Applications Engineer であるDerek Kimpton博士は、英国リンカーンに所在するPlessey Semiconductorsにて4年間、デバイスに対する放射線効果のキャラクタライズに従事しました。在籍中、ソリッドステート・エレクトロニクス分野において、新しい予測的な総線量酸化膜電荷モデルについて論文を発表し、これがシルバコ最新のTCAD Victory Deviceシミュレータのコードの基本となっています。
17年を超えるシルバコ在籍以前、Kimpton博士はKing’s College Londonにて、GaInAs MOSFET分野の理学士号と博士号を取得するとともに、英国GEC Hirst Research Centerにて1年間、インダストリアルイヤーを経験しています。また、英国Middlesex Universityのリサーチ・フェローとして、ゲルマニウム注入によるシリコンゲルマニウム(SiGe)の合成についての研究も行いました。
[日本時間]
開催日: 2015年2月18日
配信: オンライン
開催時間: 3:00am-4:00am JST
言語: 英語
対象
放射線効果を専門とし、物理ベースのTCADツールを使用したエレクトロニクス・デバイスに対する放射線効果のシミュレーションに興味をお持ちの方