シルバコTCAD: 入門と基礎 – チュートリアル
パートIII – TCADプロセス・シミュレーション
配信開始日: 2019年5月29日
シルバコのTCADは、半導体技術の開発において幅広いアプリケーションに適用することができます。TCADは、デバイスの製造および動作について、さらに詳しい理解を得るために大変有用なツールであることが実証されています。エンジニアが半導体の研究開発にTCADを適用した場合、TCADは実験的に実現が難しいまたは不可能であるという洞察を提供してくれます。また、デバイス性能の向上、歩留まりの向上、開発期間の短縮にも役立ちます。
しかしながら、TCADを活用するには複雑なスキルを必要とするため、エンジニアは自身の持つ固体物理学者、電気技術者、または回路設計者としての技能および経験を適用する必要があります。このような知識をTCADの基盤技術と結びつけることにより、シミュレーションの目標を達成可能となります。TCADソフトウェアは、産学の持つ物理知識、高度な数値解析手法、ユーザ・インタフェース、そして自動化を統合することで、エンジニアが必要とする解を得られるようにしています。
この3部構成のウェビナーでは、シルバコTCADのソフトウェア・スイートを紹介し、入門用トレーニングおよびチュートリアルを提供します。このシリーズにより、複雑なTCADに対して適切なスタート地点から取り組み、確信を持ってTCADシミュレーションを成功させる方法を短期間で習得することが可能です。
パートIII – TCADプロセス・シミュレーション
この3部構成ウェビナーのパートIIIでは、Victory Processを使用したTCADプロセス・シミュレーションについて考察し、実行方法を説明します。本ウェビナーでは、半導体のプロセス・シミュレーション、構造設計、プロセス・エミュレーション、その他の基礎について段階的に説明します。
製造プロセスのシミュレーションでは、半導体デバイスの製造プロセスを最適にシミュレーションするための物理特性、数値解析手法、構造メッシュを理解している必要があります。本ウェビナーでは、代表的な入力デッキのフローについての考察、各種パラメータの働きに関する説明、TonyPlotを使用した結果表示および構造解析に関する説明、そしてVictory Processの使用を行うにあたり必要な基本項目の説明を行います。
内容
- Victory Processツールを使用したプロセス・シミュレーションの主要操作
- Victory Process入力デッキ、ランタイム出力、結果解析の完全なフロー
- 最適な構造メッシュに関する情報
- TonyPlotのカットライン、ドーピング・プロファイル、電位プロファイルなどを使用したデバイス構造の解析
- 利用可能な例題およびリソース
プレゼンタ
Udita Kapoorは2019年、Field Applications EngineerとしてシルバコTCAD部門に入社しました。カリフォルニア州のサンタクララ・オフィスを拠点としています。Uditaはニューヨーク州ロチェスターにあるロチェスター工科大学を卒業し、マイクロエレクトロニクスの学位を取得しています。各種テクノロジのプロセス・シミュレーションにおいて、TCADプロセス・シミュレーション、トレーニングおよびユーザ・サポートを担当しています。Uditaは、クラシカルおよびノンクラシカル・デバイス・シミュレーションに取り組んできました。原子レベル・モデリングおよび2次元デバイスのデバイス・シミュレーションを使用して、材料のキャラクタライゼーションにも取り組んできました。
[日本時間]
開催日: 2019年5月29日
配信: オンライン
開催時間: 2:00am-3:00am JST
言語: 英語
対象
すべての半導体テクノロジの物理シミュレーションに興味をお持ちの研究者、エンジニア、材料科学者、マネージャ