Victory AtomisticによるGate-All-Around Devicesのシミュレーションについて学ぶ
半導体デバイスがFinFETを越えてGate-All-Around (GAA)構造を目指すようになると、ナノスケールでの正確なモデリングが不可欠になります。本ウェビナーでは、シルバコの先進的な原子レベル・シミュレータVictory Atomistic™を使って、研究者やエンジニアがどのようにGAAトランジスタの性能を量子レベルの精度で探求し、最適化できるかについて詳しくご紹介します。
本ウェビナーでは、従来のTCADツールでは見過ごされがちな量子閉じ込め、結晶方位、ひずみやバンド構造エンジニアリングといった重要な効果、物理現象を、原子レベル・シミュレーションがどのように捉えるかをご紹介します。また、Victory AtomisticがどのようにVictory TCAD™プラットフォームと統合され、予測可能なGAA FETモデリングを実現し、より迅速な設計の繰り返しと次世代デバイスの動作に関する深い洞察を可能にしているかをご紹介します。
非平衡グリーン関数(NEGF)理論に関する深い学術的知識がなくても、GAA FETのシミュレーションがいかに簡単になるかをご紹介します。Victory Atomisticの長年にわたる高度な開発の結果として、複雑な部分は高度に洗練されたシミュレーションエンジンの中に内包されています。この最適化されたワークフローにより、ユーザーは日常的に有意義なI-Vカーブを得ることができます。また、シルバコTCAD環境とシームレスに統合されているため、既に使用されている方は直感的に移行することができます。
内容
- ナノスケールで原子レベル・シミュレーションが必要になる理由
- TCAD環境でのVictory Atomisticの設定方法
- Victory Atomisticのシミュレーション機能
- 性能、結果の可視化、他の構成への拡張
プレゼンタ
安部勝美は、シルバコ・ジャパンのTCADアプリケーションエンジニアです。シルバコ・ジャパンに2016年に入社して以降、TFTやLED、フォトダイオード等の半導体デバイスのTCADアプリケーションのサポートを担当しています。入社以前は、メーカーや研究機関において、半導体デバイス、特にTFTに関するエンジニア及び研究者として活動しており、15年以上の経験を有しています。また、2013年に東京工業大学にて工学博士号を取得しています。
対象:
高度なプロセス形状における次世代原子デバイスの超高速シミュレーションを効率的に実現するソリューションをお探しのTCADエンジニアおよび管理者。