a-Si TFTにおけるリーク電流のTCADキャリブレーション
配信開始日: 2014年11月19日
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。TCADのキャリブレーション手順についてリーク電流に焦点を当て説明するため、a-Si TFTテクノロジの設計と最適化に役立ちます。 具体的には、状態密度（DOS）やバンド間トンネルなど、TFT TCADシミュレーションで使用される一般的なモデルから特定のモデルにわたる物理モデルについて、レビューを行います。
概要:
- a-Si TFTのTCADシミュレーションの基本概念
- 基本式
- 物理パラメータ
- 状態密度モデル
- TCADキャリブレーション手順の例
- プロセス/デバイス・シミュレーションによるIV曲線生成
- 状態密度モデルの理解と使用
- 占有確率関数の理解と使用
- 状態密度と電流密度の相関性
プレゼンタ
Nam-Kyun Takは、シルバコのシニアTCADアプリケーション・エンジニアです。2010年入社後、TFTテクノロジ開発を担当してきました。シルバコ入社以前は、サムスン電子にて6年間、DRAM開発に携わってきました。
Nam-Kyun Takは、韓国の慶北大学校において、電子工学およびコンピュータ・サイエンスの理学士号と理学修士号を取得しています。
[日本時間]
開催日: 2014年11月18日
配信: オンライン
開催時間: 10:00am-11:00am JST
言語: 英語
対象
a-Si TFTデバイスの測定データに対するTCADシミュレーションのキャリブレーションに関心をお持ちの研究者、エンジニア、マネージャー。