ナノデバイスにおける原子レベルのシミュレーション
配信開始日: 2019年4月8日
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイートへと発展したNEMO5の原子レベルのシミュレーション機能について紹介します。NEMO5は、多目的のナノデバイス・シミュレーション・ツールであり、パデュー大学にてこの10年間に65人以上の開発者が延べ100年以上の工数をかけて開発してきました。NEMO5は、半導体およびメタル・ナノデバイスにおいて電子およびフォノンのバンド構造、量子輸送特性の予測を原子および素粒子レベルの分解能で行うことにフォーカスしています。密度汎関数理論、分子動力学の入力と互換性があり、有限温度や製造制約 (たとえば界面の粗さ、合金やドーピングの不均一性) といった現実世界の影響をすべてカバーすることがNEMO5の核心技術です。
概要:
- NEMO5の起源と歴史
- 原子分解能の特徴と課題
- NEMO5の物理特性とモデル
- 歪み
- バンド構造
- 電界および磁界
- 表面安定化
- 輸送/伝播
- 各種FET
- オプトエレクトロニクス
- 熱輸送
- 非干渉性散乱
プレゼンタ
博士でもあるTillmann Kubis教授は、パデュー大学のNEMO5開発チームのリーダです。研究対象には、ナノデバイスおよび分子内の平衡および非平衡現象のテーマすべてが含まれます。ナノデバイス内の電子およびフォノンのバンド構造、熱、電荷、スピン輸送も対象です。Kubis博士は、ドイツ ガーヒングのミュンヘン工科大学で半導体理論物理学の博士号を取得しています。
[日本時間]
開催日: 2019年4月5日
配信: オンライン
開催時間: 2:00am-3:00am JST
言語: 英語
対象
新しい原子レベルのシミュレーション機能に関する情報を求める研究者、エンジニア、マネージャ