TCADと物理ベースのデジタルツインによるGaNデバイス設計の加速
窒化ガリウム（GaN）デバイスは、従来の半導体材料と比較して優れた効率、性能、熱特性を備え、パワーエレクトロニクス、RFシステム、高周波アプリケーションにおける革新を推進しています。本ウェビナーでは、GaNの主要な応用分野と利点を探求することから始め、SilvacoのGaNデバイス設計・最適化に向けたVictory TCADワークフローの基礎を詳細に解説します。
Victory TCADが備えるGaN技術に特化したモデルを利用して、正確なプロセス・デバイスシミュレーションが実現できることを、p-GaNゲートや縦型GaNデバイス構造などの実践例を用いてご紹介します。さらに、Victory Design of Experiments（DoE）とVictory Analyticsが提供するデジタルツイン技術を活用して、迅速な設計指針の探索と最適化が可能となる様子をご覧頂きます。最後に、Utmost IVによるSPICEモデリングを用いてデバイスシミュレーションを回路設計に接続し、GaNデバイスのコンセプト設計からシステムレベル検証までの効率的なプロセスを完結させます。
内容
- 窒化ガリウム（GaN）デバイスの性能上の利点と応用分野。
- SilvacoのVictory TCADワークフローを用いてGaNプロセスおよびデバイスシミュレーションの精度向上を実現する方法。
- p-GaNゲート構造および縦型GaNデバイス構造を含む実践例。
- Victory Design of Experiments（DoE）およびVictory Analyticsを活用した設計・最適化の加速手法。
- Utmost IVによるSPICEモデリングを用いたTCADと回路レベルシミュレーションの連携方法。
プレゼンタ
磯部一輝、 TCADアプリケーションエンジニア
磯部一輝は、シルバコ・ジャパンのTCADアプリケーションエンジニアです。2022年にシルバコ・ジャパンに入社して以降、GaNをはじめとするワイドギャップ半導体を中心に各種電子デバイス・光デバイス等のTCADアプリケーションのサポートを担当しています
対象:
プロセスエンジニア、シミュレーションエンジニア、製造エンジニア、プロダクトマネージャ、およびエンジニアリング管理職。
[日本時間]
開催日時: 2025年11月6日 10:00am JST
配信: オンライン
言語: 日本語