Understanding the Modeling Framework for CMOS Technology within Victory Process
最新世代のCMOSデバイスの製造プロセスは、単純な拡散モデルでは正確にシミュレーションすることができません。これは、テクノロジーノードのサイズが継続的に縮小している、すなわち接合が浅くなったり、ドーピング領域が小さくなっているためです。結果として、これらの微細領域のプロセス工程、ひいては最終的なデバイス特性に対して、過渡的な拡散メカニズムがますます大きな役割を果たすようになってきています。特に、非平衡欠陥とそれが及ぼす拡散メカニズムへの影響は、様々なドーパントの相互作用とともにモデル化する必要があります。
本ウェビナーでは、これらのメカニズムがVictory Processでどのようにシミュレーションされているのか、また、これらのモデルを用いたプロセス・シミュレーションの設定方法についてご紹介します。 その後、モデルをプレーナーCMOSの例で活用し、結果がどのように改善されるかを確認します。
内容
- CMOS拡散モデルの物理
- CMOS拡散モデルの特徴
- CMOS拡散モデルの使用方法
- CMOSモデルを使用した実際の応用例
プレゼンタ
Dr Thomas Grenouilloux
Thomas Grenouillouxは、シルバコのツールを用いた冷却赤外線検出器用HgCdTeの拡散プロセスのシミュレーションで博士号を取得。その後、数年にわたりこのテーマに取り組み、応用拡散の経験を積みました。その後、2021年にシルバコに入社し、Victory ProcessチームでCMOS拡散モデルの開発に携わりました。専門分野は、主に拡散の物理学であり、拡散モデルの開発、実装、校正を行っています。
対象:
プロセス・エンジニア、シミュレーション・エンジニア、製造エンジニア、プロダクトマネージャ、エンジニアリング管理者
[日本時間]
開催日時:
2025年2月27日
11:00am JST (10:00 Beijing)
7:00pm JST (11:00 Paris)
2025年2月28日
3:00am JST (10:00 Santa Clara)
(各回、同じ内容になります。)
配信: オンライン
言語: 英語