基于双脉冲法的IGBT开关仿真

减少开关损耗目前仍然是功率器件面临的重大挑战。双脉冲测试（DPT，Double Pulse Test）是测量开关参数以及评估Si、SiC、GaN MOSFET和IGBT动态特性的标准方法，其可以确定开关次数、开关损耗，确保正确的开关行为。在典型的DPT电路中，待测器件（DUT，Device Under Test）由IGBT和二极管两个器件组成，负载电感L用于模拟实际电路条件，电路还包含杂散电感Lσ和杂散电容Cσ

在本期Simulation Standard中，我们为您介绍一种基于DPT的仿真方法，来研究IGBT器件的瞬态开关特性。​文章还提供了一套使用Silvaco TCAD仿真工具评估功率器件开关特的标准模板和方法，所用的仿真代码可参考2024基准版本的示例Silicon_Power_ex17。