2022 年 SURGE 中国站线上大会

2022年12月16日 星期五,13:00 – 17:30(北京时间)

我们诚挚地邀请您参加一年一度的Silvaco全球用户大会——SURGE,今年的SURGE中国站将于北京时间12月16日下午在线上举办。

SURGE旨在为全球客户提供一个可持续的学习交流平台,共同分享TCAD、EDA和IP领域的最新技术和用户经验,探讨先进半导体设计的创新技术。

我们精心准备了以下奖品,所有线上参与的用户都有机会获得,期待您的参与!

  • 大疆 Mini SE 航拍小飞机
  • 华为手表 GT 3
  • 苹果 AirPods(第三代)无线蓝牙耳机
China Lucky Draw

活动议程

时间主会场
1:00 PM
1:05 PM​
1:25 PM​
1:55 PM​SoCs 量子计算机的设计挑战 - Jack Berg - PsiQuantum
2:15 PM幸运抽奖
2:25 PM休息

时间IC/Foundry/IP 分会场
2:30 PM
2:35 PM
2:55 PM​
3:20 PM
3:30 PM
4:00 PM
4:20 PM
4:40 PM
4:55 PM
5:15 PM幸运抽奖

时间面板显示分会场
2:30 PM
2:35 PM
3:00 PM​
3:30 PM​
4:00 PM​
4:20 PM​
4:40 PM
5:00 PM幸运抽奖

报名

SURGE 2022

中国站

Ellison Zhao

致欢迎辞

演讲人:

赵友来
Silvaco 中国,总经理

复旦大学硕士,在EDA软件及芯片IP核领域拥有超过20年行业经验。

公司最新进展

演讲人:

Babak Taheri 博士
Silvaco,CEO 及董事会成员

Babak Taheri博士是Silvaco的CEO兼董事会成员,曾担任公司CTO和产品执行副总裁。

Babak Taheri博士曾在IBT担任CEO/总裁,与投资机构、私募股权公司和初创公司合作,有丰富的技术、并购和尽职调查经验。在IBT期间,他还以顾问身份服务于MEMS World Summit、Novasentis、AGCM、ALEA实验室、Lion Point Capital和Silver Lake等。在这之前,他曾在飞思卡尔半导体(现为恩智浦)传感器业务部门担任总经理兼公司副总裁,在赛普拉斯半导体和Invensense(现为TDK)担任副总裁/总经理,在SRI International和Apple担任高管。

Babak Taheri博士于2019年至2021年担任ESDA联盟理事会成员,并于2021年6月至2022年5月担任山丘巴黎之家的董事会成员。2003年,在赛普拉斯获得“完美项目奖”;在飞思卡尔工作期间,于2015年获得加州大学杰出工程校友奖章并成为戴维斯工程学院顾问委员会成员,2014年获得MEMS和传感器年度高管奖,2013年和2014年两次获得公司“钻石芯片奖”。

Babak Taheri博士在加州大学戴维斯分校获得生物医学工程博士学位,主修EECS和神经科学。他发表了20多篇文章并拥有30多项已授权的专利。2021年,出版著作《人工传感器塑造我们生活的六大支柱》。

SoCs 量子计算机的设计挑战

演讲人:

Jack Berg
PsiQuantum,运营副总裁

Silvaco TCAD 仿真最新进展

摘要:

Eric Guichard博士将介绍Silvaco TCAD仿真工具的新功能,以及在未来的发展方向。

演讲人:

Eric Guichard 博士
Silvaco,TCAD 业务总经理及公司副总裁

Eric Guichard博士是Silvaco TCAD部门的副总裁。他负责管理TCAD部门从研发到现场实施的各个方面。自1995年加入Silvaco以来,他担任过多个职位,包括Silvaco France总监和最近的全球TCAD现场运营总监。在加入Silvaco之前,Guichard是LETI和Thomson军事和航天公司的高级SOI工程师,专门研究晶体管和电路老化。

Guichard博士拥有法国格勒诺布尔国立理工学院材料科学硕士学位和半导体物理学博士学位。

Hemant D

用于 4H-SiC 预测的 TCAD 仿真移动模型优化

摘要:

随着新能源汽车、太阳能逆变器、工业电机驱动和储能等行业的发展,下一代低功耗SiC功率MOSFET的重要性日益显著。半导体器件研发十分依赖可预测其性能的TCAD仿真,尽管目前4H-SiC在TCAD建模方面已经有了重大进展,但我们发现现有的模型仍需要进一步优化和校准。

在本次演讲中,我们将重点介绍4H-SiC的体迁移率模型。目前常用的迁移率模型无法准确预测体电阻率和温度的关系,经进一步研究,我们对迁移率模型进行了优化,用一个综合模型来描述在低温下占主导地位的杂质散射效应。经校准,该体迁移率模型与测量数据具有极好的一致性,适用于使用TCAD工具进行器件仿真。

演讲人:

Hemant Dixit 博士
研究科学家,Wolfspeed

Hemant Dixit拥有比利时Antwerp大学物理学博士学位,在半导体行业工作了10多年,是使用TCAD工具对半导体器件进行多尺度建模(包括原子级和连续介质)的专家。在 Wolfspeed,他的工作重点是提高对功率 MOSFET 的机理理解,以加快下一代器件的设计和开发。在加入 Wolfspeed 之前,他曾在摩托罗拉、IBM 和格芯工作。Hemant Dixit博士发表了超过35篇研究文章,引用次数超过1700次,已向美国专利商标局提交了15项专利申请(6项已授权)。

Tillman_K

Victory Atomistic 最新进展:2D 材料、CNTs 以及如何打通原子级仿真和 TCAD 仿真

摘要:

理想情况下,对纳米器件的性能预测包括三个方面:较高的原子分辨率、对量子现象的全面描述、对声子和杂质非相干散射的处理,这使得原子级量子输运的数值计算量非常大以至于难以实现,故有时会选择忽视散射效应。Victory Atomistics仿真覆盖了这三个方面,本演讲中将重点展示2D材料和CNTs领域的建模新功能。

与常规的原子级仿真计算成本相比,Victory Atomistics以极低成本覆盖了各方面,但一些仿真仍需要数小时的仿真才能完成。因此,Silvaco和普渡大学的团队正在弥合原子级仿真与TCAD仿真之间的差距,在典型的TCAD仿真时间内实现可靠的原子级仿真结果。

演讲人:

Tillmann Kubis 副教授
普渡大学,电气与计算机工程学院 Katherine Ngai Pesic 及 Silvaco 联合研究副教授

Tillmann Kubis是普渡大学NEMO5开发团队的负责人。主要研究纳米器件和分子器件中的平衡和非平衡现象,包括电子和声子能带结构以及纳米器件中的热、电荷和自旋传输等。Tillmann Kubis取得了德国慕尼黑工业大学理论半导体物理学Dr.rer.rat学位。

Peter Chiu

氮化镓功率器件外延结构特征的 TCAD 模型

摘要:

氮化镓材料在硅衬底上大于108cm-2的高线位错密度(TDs)会导致器件的缺陷,为了降低TDs,获得较佳器件光学和电学特性,可使用图形化蓝宝石衬底(PSS)或纳米图形化蓝宝石衬底(NPSS),而非昂贵且较难量产的GaN衬底。TDs影响着器件漏电、最大崩溃电压、缺陷捕捉、开关时间和最重要的稳定性问题,使用TCAD仿真可以便捷地研究他们之间的关系。在实际生产中,通过TCAD讨论电流坍塌现象,可以优化氮化镓HEMT水平式外延结构。

演讲人:

邱绍谚 博士
华灿光电,氮化镓电力电子部门总监

邱邵谚博士有超过15年的学术研究、半导体制造业和设计企业的经验。2009年毕业于台湾海洋大学电机工程所后,一直致力于第三代半导体外延、工艺、氮化镓功率器件水平和垂直外延结构研究,发表了超过50篇关于化合物半导体相关论文。

Silvaco 模拟/定制设计产品最新进展

摘要:

Thomas Blasei将介绍Silvaco模拟/定制设计产品的最新产品组合、产品特性和新功能,以及Silvaco EDA解决方案的未来发展。

演讲人:

​​​Thomas Blaesi
Silvaco,EDA 业务总经理及公司副总裁

Thomas F. Blaesi是Silvaco EDA业务的总经理及公司副总裁。他负责所有EDA工具的开发,包括模拟/定制设计、电路仿真和SPICE建模。Thomas于2017年10月加入Silvaco,曾担任全球营销副总裁直至2019年12月。他在半导体和电子设计自动化行业的企业战略、业务拓展和市场营销方面拥有超过 25 年的经验。除了定制和半定制芯片设计和开发领域,他还领导了基于 SoC平台设计、系统级设计和制造设计领域的多个重大项目。

加入Silvaco之前,Thomas是Zeema Technologies公司的管理合伙人。他还曾担任Chipvision的CEO,并在Cadence、Synopsys和LSI Logic担任过业务和技术部门的多个高级职位。

Thomas拥有德国Furtwangen大学电气工程和计算机科学学士学位。

Chung-Chun Chen

使用 Silvaco 工具实现稳健的 3nm 至 350nm 设计流程

摘要:

Chung-Chun Chen将简要介绍Silicon Creations公司务以及Silvaco作为IP供应商所提供的产品和服务。Silvaco工具帮助Silicon Creations更好完成了从3nm到350nm的高效稳健的IP开发。面对前端挑战,Silicon Creations使用Gateway解决了12家不同代工厂从180nm到3nm节点之间的迁移挑战;对于后端挑战,Silicon Creations使用Expert快速生成准确的版图。

演讲人:

Chung-Chun Chen
Silicon Creations,模拟电路设计总监

Chung-Chun (CC) Chen在2019年第二次加入Silicon Creations,担任模拟/混合信号设计总监,领导 SerDes 团队。2011年到2018年,他曾在Silicon Creations任高级模拟设计师/经理,负责模拟IP产品设计,包括基于Ring PLL和LC Tank PLL、串行器、带有时钟构建模块(PLL / CDR、相位插值器)和均衡器(FFE、CTLE、DFE)电路的解串器。2018年至2019年,CC就职于Ubilinx Technology(瑞昱半导体集团),担任Serdes技术的推动者/架构师。更早之前,他曾任亚特兰大三星机电设计中心的研究员、台湾新竹台积电的首席工程师。

CC在1979年出生于台湾台北,于2004年和2009年取得了台湾台北国立台湾大学的电气工程硕士和博士学位。他目前的研究集中在时钟的电路设计和其他用于高速通信系统的SerDes构建模块。CC发表了超过15篇论文,IEEE的高级会员,并曾任JSSC和T-MTT的审稿人。

Varman: 前所未有的高 Sigma 性能和用户友好的交互环境

摘要:

准确性和灵活性一直是VarMan技术的核心。基于多年来在全球范围内广泛收集的客户反馈,我们对产品进行了GUI重新设计和算法增强,极大改进了用户体验,这让VarMan正在进入一个新的时代。这一新版本将能够更好应对新的挑战,帮助更多用户便捷地进行偏差分析。

演讲人:

Vincent Annezo
Silvaco, 应用工程师

Vincent Annezo是VarMan产品的应用工程师,致力于帮助客户成功使用VarMan并不断优化。在加入Silvaco前的九年,他曾在法国EDA初创公司Selta担任软件验证和应用工程师。Vincent Annezo于2003年在法国INSA工程学院取得物理学工程硕士学位。

用 Jivaro 和 Viso 进行互连寄生缩减和分析的最新进展

摘要:

在本次演讲中,我们将介绍寄生缩减工具Jivaro和寄生分析工具Viso的新功能,用以应对与版图的互连寄生效应相关的各种挑战。拥有最新“Pro”模块的Jivaro将寄生缩减带入了一个新时代,实现了前所未有的SPICE仿真速度,特别是对于高级工艺节点。Viso新增了很多功能,无需长时间仿真即可快速理解和调试寄生结构。

演讲人:

Simon-Alexis Abric
Silvaco 法国,应用工程师

Simon-Alexis Abric是Silvaco France的应用工程师,为客户提供寄生缩减工具Jivaro和寄生分析工具Alps的技术支持。在加入Silvaco之前,他在Edxact SA担任了四年的应用工程师。

Abric先生于2013年在法国波尔多ENSEIRB学院取得集成电路和系统工程硕士学位。

Silvaco 设计 IP 解决方案的最新进展

摘要:

Ben Louie将介绍Silvaco的Design IP产品的最新情况及其未来发展方向。

演讲人:

Ben Louie
Silvaco,Foundation IP 业务副总裁

Ben Louie在存储器设计方面有超过22年的经验,包括NOR Flash、NAND Flash和MRAM。加入Silvaco之前,他在Spin Memory担任内存设计总监,领导MRAM 内存设计工作,并且是公司MRAM引擎IP的主要开发者之一;曾在Zeno Semiconductor担任设计总监和首席设计工程师,致力于开发一种新型的1T SRAM存储器;还曾就职于Field MRAM IP初创公司Magsil。在更早之前,Ben Louie曾在美光科技和赛灵思等几家大型半导体公司工作,其中在美光科技,Ben担任公司首批NAND产品的设计主管/经理,领导设计团队从NOR闪存迭代到NAND闪存。

Ben Louie在美国著名学府圣克拉拉大学取得了电气工程理学硕士和学士学位,拥有超过 116 项专利。

Dan FitzPatrick,

使用 Cello 应对 FinFET 标准单元库设计挑战

摘要:

标准单元库是现代芯片设计架构层次的最底层。与传统芯片设计相比,FinFET技术让版图设计密度更高、性能更强,同时功耗更低。然而,FinFET技术的标准单元库存在跨越区域并多层交互的现象,许多不符合规则的设计无法在本区域内修复,大大降低了初始设计、迁移和专业化等工作的效率,使得其设计规则变得更加复杂。

在本次演讲中,我们将介绍FinFET标准单元库版图设计中最具挑战性的问题,以及如何使用Silvaco Cello来应对这些挑战。

演讲人:

Dan Fitzpatrick
Silvaco,IP 软件开发助理副总裁

Dan Fitzpatrick领导位于加利福尼亚州圣克拉拉的Design IP团队,负责IP设计、特征化和IP管理等相关产品开发。Dan Fitzpatrick拥有美国顶尖公立大学佛罗里达大学的工程学硕士学位。

Xiaojun Guo

溶液工艺有机薄膜晶体管-面向显示与超越显示

摘要:

该报告将首先探讨溶液工艺有机薄膜晶体管(OTFT)的优势与应用前景。进一步介绍面向有源显示和传感应用的OTFT器件与集成的研究工作。结合实验与TCAD/SPICE仿真,验证了器件的设计原理和性能。最后讨论总结OTFT技术的重要应用方向。

演讲人:

郭小军 教授
教授,上海交通大学

上海交通大学电子信息与电气工程学院教授,副院长(分管科研)。2002年于吉林大学获得电子科学与技术专业学士学位,2007年于英国Surrey大学获得电子工程博士学位;曾在英国Plastic Logic公司(现为FlexEnable)从事柔性显示技术的研发工作。2009年加入上海交通大学,面向发展更为友好的“人-机-环境”界面电子技术,研究相关核心器件技术(薄膜晶体管、传感、显示)、混合器件电路设计、异质异构集成、以及新型制造工艺模式。在电子材料和器件领域的国际主流期刊上和会议上以第一/通信作者发表论文超过100篇,受邀国际学术会议报告超过20次。担任中国真空学会理事、SID-China副秘书长、IEEE TED/IEEE JEDS等学术期刊编委、Flexible and Printed Electronics高级编委、IEEE电子器件学会理事会(BoG)成员(2021-2023)、“柔性电子与显示”技术委员会主席(2016-2019)、SID技术委员会委员、国际信息显示会议ICDT程序委员会共主席(2017-2019)等。获得国家优秀青年科学基金,入选教育部“新世纪优秀人才计划”、上海高校特聘教授(东方学者)计划以及上海市浦江人才计划,获得SID Presidential Citation Award (2018、2019)

TCAD 仿真:光电二极管设计的关键推动力

摘要:

在汽车视觉系统、先进的工业机械和高速通信系统等快速增长的应用领域种,光电二极管都是一项关键技术,光电二极管将光输入链接到可用的电信号中。
在本次演讲中,Silvaco将讨论这些关键技术,以及如何将TCAD广泛应用于多种探测器拓扑/材料组,从而应用于多个最终用户市场。此外,我们还将详细介绍 InGaAs 雪崩光电二极管的仿真和分析。本次演示将展示如何使用TCAD来探索和表征二极管性能,并提取关键的品质因数。通过TCAD仿真,光电二极管设计技术人员可以提高其器件性能,同时缩短工程制造和测试周期。

演讲人:

Sungwon Kong
Silvaco 韩国, 高级应用工程师

Sungwon Kong从1996年开始在韩国Silvaco工作,一直负责数字显示器客户的TCAD应用支持工作。他毕业于仁荷大学电气材料和器件工程专业,在加入Silvaco之前曾就职于三星电子公司。

Jody Matos

SmartSpice 4端 TFT 模型仿真,助力先进平板设计

摘要:

本次演讲将介绍与平板显示设计仿真相关的两个重要方面:4端TFT器件和图像残影。

4端器件是当今市场上许多TFT技术的基础,而目前大多数SPICE仿真器只能支持3端TFT SPICE模型。Silvaco提供市场上独一无二的4端TFT SPICE仿真,让器件建模和设计团队的工作更加得心应手。

此外,图像残影是显示行业存在已久的问题,如果想有效解决它,显示器制造商和消费电子供应商需要在SPICE仿真级别进行研究。Silvaco提供业界独一无二的SmartSpice Flex建模技术,可以在SPICE中仿真任何动态器件效应,从根本原因分析和处理残影问题。

演讲人:

Jody Matos 博士
Silvaco, 电路仿真总监

Jody Matos博士是一名计算机科学家,对软硬件设计的研发工作充满热情。作为Silvaco电路仿真总监,Jody Matos博士管理着EDA工具的前沿研发及业务相关项目,包括模拟、数字和混合信号IC设计的电路仿真和分析。

Jody Matos博士拥有巴西南里奥格兰德联邦大学(UFRGS)计算机科学博士学位和微电子硕士学位。他拥有30多篇论文和专利,曾担任设计自动化领域多个知名期刊和国际会议的专家审稿人和技术委员会委员。
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Kevin Chang

用于显示技术的新兴器件设计和仿真

摘要:

近年来,平板显示行业在消费电子、车载显示、AR/VR应用和大型电视显示等领域的发展十分迅速,而其中的核心技术正是发光二极管(LED)技术,发光二极管是高可见度、高能效的显示器的关键器件。在本次演讲中,我们将分享如何使用Silvaco工具来设计和仿真Micro LED、QLED和OLED等新兴显示器件。

演讲人:

常志强
Silvaco 中国,TCAD 技术支持部经理

长期从事Silvaco TCAD在国内的技术推广、客户支持等工作,致力于TCAD在半导体工艺和器件中的仿真应用,帮助客户建立TCAD仿真能力和平台。本科毕业于南京大学,硕士毕业于复旦大学。

Utmost IV 器件建模的最新进展

摘要:

本次演讲中,我们将介绍Utmost IV器件建模工具在2022年新版本中新增和优化的功能,例如全新的Corner模型和Retargeting模型,以及最新的技术和应用案例。值得一提的是,对于显示器设计SPICE建模,我们在今年推出了独一无二的4端SmartSpice TFT模型提取流程。Silvaco拥有丰富的SPICE建模经验,通过建模服务已帮助众多客户实现高效显示设计。

演讲人:

​Bogdan Tudor 博士
Silvaco,高级经理

Silvaco器件特征化负责人,领导着Utmost和Modeling Service团队。Bogdan Tudor博士在模型开发和特征化软件方面拥有超过 20 年的经验。

​​​

Po-Tsun Liu

面向 M3D-IC 的后道兼容 AOS 半导体 TFT 及氧缺陷数值分析

摘要:

后段(BEOL)兼容非晶氧化物半导体(AOS)TFT是开发M3D-IC的合适技术平台。在这项工作中,n沟道a-IWO纳米片晶体管已经在基于InOx的TFT中成功验证,特别当沟道厚度缩小到4 nm时。a-IWO纳米片TFT与HfO2栅极绝缘体的集成表现出低工作电压,良好的电气特性:接近理想的亚阈值摆幅约为63mV/dec,高场效应迁移率约为25.3 cm2/V-s。通过TCAD分析,使用a-IWO纳米片TFT的量子效应模型对应的物理机制证明了a-IWO薄膜沉积过程中氧气流动对前通道氧间隙(Oi)缺陷的影响。

演讲人:

​刘柏村 教授
国立阳明交通大学电机学院光电工程学系,讲座教授

刘柏村教授是台湾国立阳明交通大学讲座教授和显示研究中心主任。他是TFT、TFT-LCD和AMOLEDs 器件/电路的知名专家,研究范围包括基于非晶氧化物半导体(AOS)的光电传感器、非易失性存储器器件(闪存、EEPROM和RRAM)和阵列技术的栅极驱动器,将TFT技术从平板显示器扩展到了先进半导体工程中的单片3D-IC应用。刘柏村教授拥有350多篇论文,出版一本专著,并是一本书的章节编辑,曾受邀在国际和国家会议上发表100多次演讲。

为表彰他的非凡成就和对TFT技术的重大贡献,刘柏村教授当选为IEEE院士(2020年)、SID院士(2021年),荣获国家科学技术委员会(NSTC)颁发的杰出研究奖(2021年),并被列入 Research.com 的世界顶级电子和电气工程科学家名单。他还获得了众多国际会议论文奖,如中国工程师学会杰出工程教授奖(2022年)、2015年中国电机学会杰出电气工程教授奖、优秀青年学者研究基金和大学特殊人才奖(国家科学委员会,2006年至今)等。

刘柏村教授一直致力于FPD科研和人才培养工作,其讲座备受学子和学者好评,曾获得杰出教学奖(NCTU,2019),在教师节庆祝活动中四次获得AUO表彰(2015年,2016年,2018年,2020年)。