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Victory TCAD 솔루션을 통해 FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 정확한 실험 식각 프로파일을 효율적으로 달성
2022년 8월 12일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에, FinFET 및 메모리 애플리케이션에서의 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀의 형성, 비이상적 식각 프로파일 (휘어짐, 비틀림), 자체 정렬 공정 (멀티 패터닝)을 실현하는 기술을 설명합니다.
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공정 시뮬레이션
Victory Process 2D & 3D Layout-Driven Simulator
TCAD Process simulation is crucial to develop new technologies, as well as maintain existing semiconductor processes. Virtualizing the manufacturing process allows organizations to maintain a “digital twin” of their semiconductor process. Changes in process can be well understood; maximizing device performance, increase manufacturing yield, while minimizing number of engineering cycles and cycle time.