1.0Silvacohttps://silvaco.com/ja/Jamal Smithhttps://silvaco.com/ja/author/jamal-smith/rich600338<blockquote class="wp-embedded-content" data-secret="jEcYDdMJYN"><a href="https://silvaco.com/ja/%e7%84%a1%e7%b7%9a%e3%81%a8rf/">無線とRF</a></blockquote><iframe sandbox="allow-scripts" security="restricted" src="https://silvaco.com/ja/%e7%84%a1%e7%b7%9a%e3%81%a8rf/embed/#?secret=jEcYDdMJYN" width="600" height="338" title="“無線とRF” — Silvaco" data-secret="jEcYDdMJYN" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" class="wp-embedded-content"></iframe><script> /*! This file is auto-generated */ !function(d,l){"use strict";l.querySelector&&d.addEventListener&&"undefined"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!/[^a-zA-Z0-9]/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret="'+t.secret+'"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret="'+t.secret+'"]'),c=new RegExp("^https?:$","i"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display="none";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute("style"),"height"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):"link"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute("src")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener("message",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener("DOMContentLoaded",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll("iframe.wp-embedded-content"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute("data-secret"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+="#?secret="+t,e.setAttribute("data-secret",t)),e.contentWindow.postMessage({message:"ready",secret:t},"*")},!1)))}(window,document); //# sourceURL=https://silvaco.com/wp-includes/js/wp-embed.min.js </script> ホーム > ソリューション > ワイヤレスとRF ワイヤレスとRF：RF半導体のデバイスシミュレーション、モデリング、レイアウト RF半導体は、実際の動作周波数で機能する必要があります。Silvacoは、RFデバイスシミュレーション、Sパラメータモデルのフィッティング、回路解析、任意角度のレイアウトを1つのフローで提供します。 技術専門家に相談 ドキュメントを読む 高周波では、小さな効果を無視できない 5G、Wi-Fi、IoTの接続需要は、デバイスメーカーに効率的な高周波部品の開発を求め続けています。窒化ガリウムHEMTとpHEMTは、その代表例です。これらはいずれもアンテナに隣接するRFフロントエンドで使用されます。 RF IC設計は、多くの市場よりもデバイス物理との関係が密接です。基板の寄生成分は小信号条件でも影響し、大信号駆動ではさらに重要になります。描画された形状が回路の一部として振る舞い、パッケージも独自の影響をもたらします。DCだけでフィッティングしたモデルでは、これらをすべて見逃す可能性があります。そのため、デバイス、モデル、回路、レイアウトを一体で開発し、それぞれを実際の周波数で評価する必要があります。 Silvacoの役割 単一デバイスの物理現象から始め、検証済みのイメージセンサーレイアウトまで進めます。フォトニックコンポーネントには、並行して専用の電磁界シミュレーションを行います。 お客様の入力 RFデバイスまたは回路 トランジスタ、基板、フロントエンドブロック 01 Victory Process GaN HEMTを含むRFデバイス構造を形成 02 Victory Device 小信号および大信号条件でシミュレーション 03 Utmost IV Sパラメータと抽出データにコンパクトモデルをフィッティング 04 SmartSpice 大規模な抽出済み設計を含め、アナログ読み出し回路をシミュレーション 05 SmartView 結果をスミスチャートと極座標チャートにプロット 06 Expert RF・マイクロ波素子を任意の角度で描画 07 SmartDRC/LVS 完成したレイアウト内の任意角度のデバイスを検証 技術とデバイス 周波数によって答えが変わる領域。 RFデバイス Victory Processでは、パワー・RF向けに対応するシリコンBiCMOS、BCD、SiC技術に加え、GaN HEMTと擬似整合型HEMTを形成できます。プロセスシミュレーションは、可変コンデンサなどのRF MEMSデバイスにも対応します。 Victory Deviceは、小信号・大信号動作時の回路下のシリコン基板をモデル化します。同じTCADフローで、AlGaN/GaN HEMTのトラップに起因するドレイン電流の分散や、高出力GaN HFETの自己発熱など、GaNのRF性能を左右する効果を扱えます。 周波数を考慮したモデリング […]https://silvaco.com/wp-content/uploads/2026/10/At-Radio-Frequency-Small-Effects-Stop-Being-Small-1030x691.webp