1.0Silvacohttps://silvaco.com/ja/Jamal Smithhttps://silvaco.com/ja/author/jamal-smith/rich600338<blockquote class="wp-embedded-content" data-secret="jF2jVZIJhQ"><a href="https://silvaco.com/ja/%e3%83%91%e3%83%af%e3%83%bc%e3%83%87%e3%83%90%e3%82%a4%e3%82%b9/">パワーデバイス</a></blockquote><iframe sandbox="allow-scripts" security="restricted" src="https://silvaco.com/ja/%e3%83%91%e3%83%af%e3%83%bc%e3%83%87%e3%83%90%e3%82%a4%e3%82%b9/embed/#?secret=jF2jVZIJhQ" width="600" height="338" title="“パワーデバイス” — Silvaco" data-secret="jF2jVZIJhQ" frameborder="0" marginwidth="0" marginheight="0" scrolling="no" class="wp-embedded-content"></iframe><script> /*! This file is auto-generated */ !function(d,l){"use strict";l.querySelector&&d.addEventListener&&"undefined"!=typeof URL&&(d.wp=d.wp||{},d.wp.receiveEmbedMessage||(d.wp.receiveEmbedMessage=function(e){var t=e.data;if((t||t.secret||t.message||t.value)&&!/[^a-zA-Z0-9]/.test(t.secret)){for(var s,r,n,a=l.querySelectorAll('iframe[data-secret="'+t.secret+'"]'),o=l.querySelectorAll('blockquote[data-secret="'+t.secret+'"]'),c=new RegExp("^https?:$","i"),i=0;i<o.length;i++)o[i].style.display="none";for(i=0;i<a.length;i++)s=a[i],e.source===s.contentWindow&&(s.removeAttribute("style"),"height"===t.message?(1e3<(r=parseInt(t.value,10))?r=1e3:~~r<200&&(r=200),s.height=r):"link"===t.message&&(r=new URL(s.getAttribute("src")),n=new URL(t.value),c.test(n.protocol))&&n.host===r.host&&l.activeElement===s&&(d.top.location.href=t.value))}},d.addEventListener("message",d.wp.receiveEmbedMessage,!1),l.addEventListener("DOMContentLoaded",function(){for(var e,t,s=l.querySelectorAll("iframe.wp-embedded-content"),r=0;r<s.length;r++)(t=(e=s[r]).getAttribute("data-secret"))||(t=Math.random().toString(36).substring(2,12),e.src+="#?secret="+t,e.setAttribute("data-secret",t)),e.contentWindow.postMessage({message:"ready",secret:t},"*")},!1)))}(window,document); //# sourceURL=https://silvaco.com/wp-includes/js/wp-embed.min.js </script> ホーム > ソリューション > パワーデバイス パワー半導体デバイス：TCADによるSiC MOSFET、GaN、シリコンの開発 新しいパワーデバイスには、ウェーハ投入前の検証が必要です。Silvaco TCADは、プロセス構想からSPICEモデルまで、SiC MOSFET、GaN HEMT、シリコンIGBTの検証を支援します。 技術専門家に相談 ドキュメントを読む パワー半導体チームが直面する課題 炭化ケイ素と窒化ガリウムは、シリコンだけでは達成できない領域へパワーエレクトロニクスを進化させています。車載、5G、産業、民生、高性能コンピューティング、航空宇宙・防衛の設計で活用されています。現在、ワイドバンドギャップデバイスが機能するかどうかが未解決の問いになることはまれです。課題は、プロセス構想から回路設計者が信頼できるコンパクトモデルまで、いかに迅速に到達するかです。 ウェーハごとにそれを確かめるのは、時間も費用もかかります。シミュレーションは、ファブでの試作に先立って知見を得られるようにします。画面上でレシピ、構造、バイアスを変更し、デバイスの挙動を確認します。量産までに必要な試作を減らせます。新しいSiC MOSFETでは、これが推測と確かな答えの違いになります。 フローにおけるSilvacoの役割 プロセス、デバイス、モデル、回路、レイアウト。すべてを実行することも、チームに不足するステップだけを組み込むこともできます。アプリケーションエンジニアが、必要に応じてモデル、フロー、ツールチェーンをお客様の技術に適合させます。 入力 プロセス構想 レシピ、デバイス構造、目標定格 01 Victory Process 2Dまたは3Dでデバイスを仮想的に形成 02 Victory Mesh 大規模なパワーデバイス構造のメッシュを効率的に生成 03 Victory Device DC、AC、過渡、自己発熱、信頼性、放射線、混合モード 04 Utmost IV SPICEモデルを抽出し、検証 05 SmartSpice ゲート電荷と逆回復まで含め、回路内でモデルを評価 06 Expert パワーデバイスのレイアウトに見られる丸みのある複雑な形状を処理 07 SmartDRC/LVS 誤検出を生じさせずにそれらの形状を検証 FTCO 課題が単一デバイスからファブ全体へ広がる場合に対応します。Fab Technology Co-OptimizationはDTCOを超え、検証済みの同じ物理モデルをファブデータに基づいて校正し、プロセスのデジタルツインを構築します。 技術とデバイス プロセスシミュレーションは、エッチングと成膜、イオン注入、不純物の活性化、酸化、応力に対応します。オープンなモデルライブラリと材料データベースが基盤となります。2Dで迅速にデバッグし、同じ構造を3Dへ展開できます。デバイスシミュレーションはマルチスレッドで実行し、難しいケースには拡張された数値精度を使用します。すべてのモデルをお客様独自の測定データで校正します。新しいワイドバンドギャップ材料も、物理パラメータを調整して導入できます。 炭化ケイ素とシリコン PINダイオード、ショットキーバリアダイオード、DMOSFET、JFET、IGBT、BJT、サイリスタ、スーパージャンクションデバイスと、それぞれのエッジ終端。 […]https://silvaco.com/wp-content/uploads/2026/10/What-Power-Semiconductor-Teams-Are-Up-Against-1-1030x691.webp