Victory Atomistic
Victory Atomistic デバイス/ナノ構造 シミュレータ
ナノテクノロジ製品は、先進の量子力学的効果を計算します。Victory Atomisticは、ひずみ緩和、フォノン・モード、タイトバインディング・モデルを使用した電子構造、セルフコンシステントなシュレディンガ-ポアソン方程式、量子輸送のようなナノ構造特性の領域で、量子ソリューションおよび半古典とのハイブリッド・ソリューションの提供を目指しています
シルバコのパデュー大学との提携についてはこちらをご覧ください。
利点
- 数個から数百万原子による構造まで拡張可能
- セルフコンシステントなシュレディンガ-ポアソン・ソルバにより、原子レベルでのデバイス動作について、第1原理による理解が可能
- 非平衡グリーン関数 (NEGF) ソルバにより、干渉および非干渉性散乱機構を含むI(V) 特性の高精度シミュレーションを実行
- Mode-SpaceおよびBüttikerプローブなどの高度な最適化技術により計算にかかる負荷を低減
- 結果を容易にTCADシミュレーションに入力することができ、古典および半古典的TCADシミュレーション・モデルに、十分調整されたパラメータを与えることが可能
用途
- 先端CMOS、TFET
- TMDなどの新材料を含む2次元材料デバイス
- 量子ドットや量子井戸などの量子閉じ込めデバイス
- FinFET、量子細線やスラブ構造における散乱効果を含む電子輸送
- LEDを含む光学デバイス
- トポロジカル絶縁体の研究
- 試行的な新デバイス構造
特長
- シルバコのTCADインタラクティブ・ツールへの統合
- 大規模並列処理 – 何十万もの計算ノードの並列が可能
- タイトバインディング ・ハミルトニアンおよびWannier90ハミルトニアンから結晶材料の基本的なバンド構造特性を計算
- 閃亜鉛鉱、ウルツ鉱、単純立方格子、ダイヤモンド、三角構造を含むグラフェンおよびBiTeの結晶構造をサポート
原子レベルの構造定義
- Victory Atomisticの材料データベースは、バルク層から2次元レイヤまで多岐にわたるマイクロ・エレクトロニクス分野の、代表的な材料だけでなく、新しい材料についても、高度なタイト・バインディング・パラメータ一式を含んだものを採用しています。
- 疑似エピタキシおよびパッシベーション・ルールに基づいて{material, domain, region}の組み合わせを指定することにより、原子レベルで境界条件を組み合わせた複雑なデバイス・アーキテクチャを構築できます。
- Victory Atomisticは、100万個ほどの原子から成る構造のシミュレーションが実行可能です。
高度なソルバ
- ポアソン-シュレディンガ
- 力場緩和
- Top-of-the-barrier輸送
- Quantum Transmission Boundary Method (QTBM)
- 非平衡グリーン関数 (Non-Equilibrium Green’s Function: NEGF)
- 電子-フォノン (音響、極性、非極性)、表面粗さ、不純物などによる、キャリア散乱のセルフコンシステントなBorn計算
- Mode-SpaceやBüttikerプローブといった高度な技術を採用し、コストのかかる計算のパフォーマンスを最適化
- 最大100万個の原子から成るデバイスを現実的なシミュレーション時間で処理することが可能
- MPIを使用してマルチレベルの並列処理を実現
関連資料
プレゼンテーション
- DTCO Tool Flow – Single Run-Time Environment for Design Technology Co-Optimization
- Optical Simulations – Light Emitting and Absorbing Devices
- Power Device Solutions – Full TCAD to SPICE Flow
- Parasitic Extraction – Full Chip and Cell Level RC Extraction
- Process Simulation Options – Four Ways to Create a Physical Structure
- Radiation Effects Module – Total Dose and Single Event Phenomenon, Damage Inducing and Elastic Interactions
- Victory Atomistic – Practical Atomic-Scale Simulation
公開論文
Simulation Standard
ウェビナー
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ニュース
お客様の声
Coby Hanoch
シルバコは、半導体企業で広く使用されている最先端デバイス・モデルおよびTCADツールを提供しています。我々の共同開発が成功したことにより、業界で最も強力なシミュレーション・ツール上で、WeebitのReRAMテクノロジにアクセスすることが容易になります。お客様は、新しく開発されたTCADモデルにより、製造においてコストと時間のかかる処理を省略しながら、次世代製品の開発およびリリースを速めることが可能となります。習得、開発、テストといった数ヶ月もの時間がかかるサイクルが今ではなくなりました。このことは、Weebitによるもう1つの重要なマイルストーンであり、より多くのグローバルなOEMカスタマの採用を加速します。
Weebit Nano
CEO
四戸孝氏
当社は全く新しい独自の製法により酸化ガリウムデバイスの開発を行っています。このような新規デバイスの開発を効率よく進めるにはデバイス・シミュレーションの活用が重要になってきます。今回シルバコのデバイス・シミュレータを採用するにあたり、シルバコの持つワイドバンドギャップ半導体に対する豊富な実績、パワーデバイスに対する深い知見が決め手となりました。今後の実用化に向けてGaO™パワーデバイスの開発が一層進んで行くものと期待しています。
FLOSFIA
CTO
Quantum Transport Simulation at Atomistic Accuracy of a Nanowire FET
2022 TCAD Baseline Release
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