Victory Atomistic デバイス/ナノ構造 シミュレータ
ナノテクノロジ製品は、先進の量子力学的効果を計算します。Victory Atomisticは、ひずみ緩和、フォノン・モード、タイトバインディング・モデルを使用した電子構造、セルフコンシステントなシュレディンガ-ポアソン方程式、量子輸送のようなナノ構造特性の領域で、量子ソリューションおよび半古典とのハイブリッド・ソリューションの提供を目指しています
シルバコのパデュー大学との提携についてはこちらをご覧ください。
利点
- 数個から数百万原子による構造まで拡張可能
- セルフコンシステントなシュレディンガ-ポアソン・ソルバにより、原子レベルでのデバイス動作について、第1原理による理解が可能
- 非平衡グリーン関数 (NEGF) ソルバにより、干渉および非干渉性散乱機構を含むI(V) 特性の高精度シミュレーションを実行
- Mode-SpaceおよびBüttikerプローブなどの高度な最適化技術により計算にかかる負荷を低減
- 結果を容易にTCADシミュレーションに入力することができ、古典および半古典的TCADシミュレーション・モデルに、十分調整されたパラメータを与えることが可能
用途
- 先端CMOS、TFET
- TMDなどの新材料を含む2次元材料デバイス
- 量子ドットや量子井戸などの量子閉じ込めデバイス
- FinFET、量子細線やスラブ構造における散乱効果を含む電子輸送
- LEDを含む光学デバイス
- トポロジカル絶縁体の研究
- 試行的な新デバイス構造
A New CMOS Simulation Template: Addressing Advanced Diffusion and Annealing Effects
Introduction to Virtual Metrology with Victory Extract
IGBT Switching Simulation Based on the Double-Pulse Method
2024 TCAD Baseline Release