エントリー - Gigi Boss

A Comprehensive Oxide-Based ReRAM TCAD Model with Experimental Verification

Abstract—During the last few years, oxide-based ReRAM technology has attracted intense industrial and scientific research interest. Therefore, we have performed an in-depth computational study with a focus on data retention besides the resistive switching and the current run-away. Our newly developed comprehensive TCAD (Technology Computer Aided Design) model provides deep insight into the underlying microscopic processes and is validated against experimental data as an accurate and predictive simulation tool.

iDEAL Semiconductor、次世代高効率パワー・デバイスの開発にシルバコの Victory TCADソリューションを採用

カリフォルニア州サンタクララ発 – 2021年9月2日 – Silvaco Group, Inc.(以下シルバコ)は、本日iDEAL Semiconductorが、次世代の高効率パワー・デバイスの研究開発を加速するために、シルバコのVictory TCAD ソリューションを採用したことを発表しました。

Simulation of Silicon and Perovskite Based Tandem Solar Cells Using TCAD

3端子の高効率タンデム・モデルにおけるIBCモデルとPSCモデルの統合について説明するとともに、2端子および3端子のソリューションについて回路設計の観点から検討し、そのメリットとデメリットについて議論します。最後に、単接合バンドギャップ太陽電池の効率限界を超えるタンデム太陽電池の設計を紹介します。

Achieve Your Display Design Performance Edge Through Precision Parasitic Extraction

ますます厳しくなる設計ルールや非平坦な表面形状は、従来のルールベースによる抽出ツールを使用する設計者のイノベーションに対する選択肢を制限してしまいます。シルバコのHipex-FSは、現実的な3Dプロセス・シミュレーションを駆使することで、設計者がパフォーマンスとイノベーションの限界を見つけるのに役立ちます。