シルバコ、欧州のワイドバンドギャップ半導体イノベーション・エコシステムであるGaN Valley™に参加
2024年1月29日
効率的な窒化ガリウム（GaN）パワー・デバイス設計の最先端技術の発展と、Victory TCADプラットフォームによる顧客の技術革新を支援するため、GaN Valley™に参加したことを発表しました。
エントリー - Gigi Boss
GaN-based Power Devices Design and Development with Silvaco TCAD Solution
2024/2/29
物理ベースのシミュレーション・ツールは、FBH研究室におけるこれらの新世代ワイドバンドギャップ電子デバイスの開発と洞察に不可欠です。このウェビナーでは、縦型および横型GaNベース・パワー・デバイスの設計、予測、電気特性の解析に使用するシルバコ・シミュレーション・ツールの使用例を紹介します。
Power Devices SPICE Modeling for Si, GaN and SiC Technologies
2024/2/8
コンパクトモデルやマクロモデルなど、パワーデバイスの SPICE モデリングに対する様々なアプローチを分析します。
Numerical Algorithm to Perform Viscoelastic Analysis
Numerical Algorithm to Perform Viscoelastic Analysis
Viscous materials exhibit both viscous and elastic characteristics when undergoing deformation. The response of such materials to force is characterized by two distinct phases. The materials first deform instantaneously akin to elastic materials. Following on, the material continues to deform at a relatively slower time scale. Typically, materials undergoing thermal treatment exhibit viscoelastic properties.
2023 TCAD Baseline Release
New Features in the 2023 Baseline Release:
- Section 1: Process Simulation – New Features in 2023 Baseline Release
- Section 2: Device Simulation – New Features in 2023 Baseline Release
- Section 3: Victory Mesh – New Features in 2023 Baseline Release
- Section 4: New Examples in 2023 Baseline Release
SilTerra、シルバコのライブラリ・キャラクタライゼーションおよび最適化ツールを活用し、ファウンドリ・スタンダード・セルIPの開発効率を向上
カリフォルニア州サンタクララ発 – 2023年7月6日
SilTerra社が同社のファウンドリ・スタンダード・セルIPの開発における研究開発チームの自動化と効率化を図るため、同社のライブラリ・キャラクタライゼーション、最適化、回路シミュレーション・ツールであるViola、CelloおよびSmartSpiceを採用したことを発表
SK Powertech、次世代SiCパワーデバイスの開発にシルバコの「Victory TCAD」ソリューションを採用
カリフォルニア州サンタクララ発 – 2023年6月15日
TCAD、EDAソフトウェア、デザインIPを提供するSilvaco Group, Inc.（以下、シルバコ）は、SK Powertechが次世代SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスの研究開発を加速するために、同社のパワーデバイス向けVictory TCAD（Technology Computer-Aided Design）ソリューションを採用したと発表しました。Victory TCADソリューションにより、SK Powertechはパワーマネジメント技術を大幅に向上することができます。
Join Us at DAC 2023
May 24, 2023
Learn How to Use Victory Process TCAD Geometric Etch Models in FinFET and Memory Applications
2023年5月19日
本ウェビナーでは、FinFETおよびメモリ製造への応用を題材として、幾何学エッチング・モデルを紹介します。フィン形状や、非理想的なエッチング・プロファイル（ボーイング、ツイスト）、自己整合プロセス（マルチパターニング）を実現する技術を紹介します。